杨根
- 作品数：13 被引量：27H指数：3
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省科技攻关计划河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 电子束蒸发制备ZnO∶Al透明导电膜及其性能研究被引量：1
- 2006年
- 在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制备的样品电阻率可达6×10-3Ω.cm。
- 王子健王海燕郜小勇吴芳李红菊杨根刘绪伟卢景霄
- 关键词：电子束蒸发ZNO衬底温度
- PECVD沉积微晶硅薄膜过程中氢原子对透明导电膜的影响(英文)
- 2007年
- 研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的透光率显著降低.当在SnO2薄膜表面沉积一层ZnO时,既使ZnO膜的厚度为50nm,也可有效地抑制H原子对SnO2的还原效应,并在SnO2/ZnO双层膜上制备了转换效率为3.8%的微晶硅薄膜太阳电池.
- 陈永生汪建华卢景霄杨根郜小勇杨仕娥
- 关键词：透明导电氧化物
- 硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响被引量：3
- 2008年
- 采用RF-PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质微晶硅薄膜,并深入研究了硅烷浓度对微晶硅薄膜微结构及电学性质的影响。研究结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率、平均晶粒尺寸、晶化率和电导率均呈现相似的变化规律,而谱中出现的拐点由硅烷浓度决定。该变化规律可通过相应的薄膜生长的微观理论得到合理的解释。
- 赵剑涛郜小勇刘绪伟杨根陈永生杨仕娥卢景霄
- 关键词：微晶硅薄膜晶化率
- 硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响被引量：8
- 2007年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。
- 汪昌州杨仕娥陈永生杨根郜小勇卢景霄
- 关键词：晶化率电导率
- 高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低。
- 杨根张丽伟卢景霄谷锦华陈永生文书堂汪昌州王子健
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微观结构
- VHF-PECVD制备微晶硅薄膜的微结构研究被引量：1
- 2009年
- 用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了不同沉积时间微晶硅薄膜。用拉曼散射光谱仪、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等表征手段对薄膜的微观结构进行了研究。研究结果表明:随着沉积时间的延长,薄膜呈岛状生长,薄膜晶粒度在微晶核形成后迅速升高并逐渐饱和;其微观结构经历了"非晶相→非晶/微晶混合相→微晶相"的演变过程。本实验制备的微薄膜仍以(111)为优化取向。
- 张丽伟张丽伟余泽通杨根
- 关键词：微晶硅薄膜微观结构微观形貌
- 透明导电薄膜与p-Si:H膜接触特性的研究被引量：1
- 2007年
- 本实验采用PECVD方法在不同透明导电薄膜上沉积了p型掺杂(p-Si:H)膜。用拉曼(Raman)光谱测试了p-Si:H膜的晶化率,并用扫描电子显微镜(SEM)观察了其形貌。结果表明:在SnO2上沉积的p-Si:H膜的晶化率较其它两种衬底高,相应的SEM形貌显示颗粒尺寸也较大。通过I-V测试仪测试了ZnO:Al/p-Si:H、SnO2/p-Si:H和SnO2/ZnO:Al/p-Si:H的接触特性,结果显示ZnO:Al/p-Si:H的接触特性并不比SnO2/p-Si:H差。
- 吴芳王海燕卢景霄郜小勇杨仕娥陈永生杨根王子健
- 关键词：透明导电膜晶化率
- 不同衬底制备硅薄膜的微结构研究被引量：5
- 2006年
- 本文用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝(AZO)覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜。然后用快速光热退火炉(RTP)在600℃下对样品进行了7m in的退火处理,借助Ram an和SEM对退火前后硅薄膜微结构进行了研究,并用声子限域理论和纳晶表面效应对实验现象进行了分析。结果表明:(1)薄膜沉积过程中,衬底结构对薄膜微结构有重要影响,相对来说石英衬底上沉积的硅薄膜最容易晶化,其次是玻璃衬底,再其次是未织构的AZO覆盖的玻璃衬底。初步分析认为,主要是因为衬底的无序结构与硅的晶体结构的失配程度不同造成的影响;(2)退火后,薄膜晶粒尺寸均增大。进一步推测,AZO薄膜微结构随退火的变化将导致硅薄膜微结构受到牵连影响。
- 李红菊张丽伟杨根赵剑涛张宇翔
- 关键词：拉曼SEM衬底
- 微晶硅薄膜的高速沉积研究
- 本文以微晶硅薄膜的沉积速率为重点,以优化沉积条件、提高微晶硅薄膜的沉积速率为目标,通过射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)和甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD),系统地研究了沉积气压、射频功率、气体流...
- 杨根
- 关键词：PECVD微晶硅薄膜
- 文献传递
- 功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响被引量：4
- 2008年
- 在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.
- 郭学军卢景霄文书堂杨根陈永生张庆丰谷锦华
- 关键词：VHF-PECVD功率密度
