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李卫

作品数：29 被引量：13H指数：3
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 13篇发光
  • 11篇二极管
  • 11篇发光二极管
  • 8篇衬底
  • 6篇氮化镓
  • 6篇多量子阱
  • 6篇金属有机物
  • 6篇金属有机物化...
  • 4篇载流子
  • 4篇子层
  • 4篇晶体管
  • 4篇隔离层
  • 4篇俘获
  • 4篇复合衬底
  • 4篇半导体
  • 3篇量子效率
  • 3篇空穴
  • 3篇极型
  • 3篇光效
  • 3篇光效率

机构

  • 29篇中国科学院
  • 1篇钢铁研究总院

作者

  • 29篇李卫
  • 26篇贾海强
  • 20篇陈弘
  • 13篇江洋
  • 13篇王禄
  • 12篇马紫光
  • 8篇周均铭
  • 5篇黄绮
  • 5篇彭铭曾
  • 5篇朱学亮
  • 5篇李永康
  • 4篇郭丽伟
  • 3篇王文冲
  • 3篇李宏伟
  • 2篇王太宏
  • 2篇邢志刚
  • 2篇汪洋
  • 2篇王晶
  • 2篇戴隆贵
  • 1篇王春花

传媒

  • 2篇物理
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇北京金属学会...

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米器件的制备、表征及其应用被引量：5
2002年
利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统 ,研制碳纳米管晶体管、单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件 .研制出了 90K的单电子晶体管 ,实现了两单电子晶体管的电容耦合集成。
王太宏赵继刚傅英李宏伟李卫王春花王振霖庞科刘淑琴符秀丽
关键词：碳纳米管晶体管单电子晶体管
量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
本发明提出一种量子阱结构，其包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构，所述单量子阱结构为有源层的发光区，且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。所述量子阱结构能够显著提高较低禁带宽度...
陈弘贾海强江洋马紫光王文新王禄戴隆贵李卫
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桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
本实用新型涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、...
贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
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一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法
本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1<Sup>1</Sup>00]或[11<Sup>2</Sup>0]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或...
陈弘王晶贾海强郭丽伟周均铭李卫汪洋邢志刚
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GaN基单芯片白光发光二极管外延材料
本发明涉及一种GaN基单芯片白光发光二极管外延材料，包括一衬底和在衬底上依次生长的初始生长层、本征GaN缓冲层、n型GaN层、应力弛豫层、InGaN多量子阱结构发光层、p型AlGaN夹层和p型GaN层；该应力弛豫层为In...
陈弘郭丽伟贾海强李卫王文新
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桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、...
贾海强李卫李永康彭铭曾朱学亮
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一种发光二极管外延结构
本发明公开一种发光二极管（LED）外延结构，包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括一个或多个基本周期性结构，所述基本周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括多个耦合阱，所述多个耦合阱均为窄阱，相邻的耦合阱之间有窄...
贾海强陈弘马紫光江洋王文新王禄李卫
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一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法
本发明提供一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：1）在硅基底上形成具有露出该硅基底的开口的第一子隔离层；2）利用横向生长法在第一子隔离层和所述硅基底上形成硅薄膜构成的种子层；3）在种子层上形成掩膜，覆盖所述开口之间的...
陈弘贾海强江洋王文新马紫光王禄李卫
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GaAs SOI衬底上PHEMT器件特性演示
为了验证GaAs SOI的优势,本文利用AlAs氧化制备的SOI GaAs(001)衬底,生长了PHEMT结构材料,并进行了材料特性和器件特性分析.
贾海强陈弘王文冲王文新李卫黄绮周均铭
关键词：晶体管直流特性
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一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1....
蒋中伟王文新陈弘周均铭郭丽伟贾海强李卫高汉超
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共3页<123>
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