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江洋: 作品数：45 被引量：23H指数：4; 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>

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用于薄膜生长的双模系统及其控制方法: 本发明公开了一种用于薄膜生长的双模系统及其控制方法，双模系统包括非反应气源、第一反应源、第二反应源、带有旋转载台的反应室和控制装置，控制装置控制本系统在两种反应模式之间相互转换；在第一反应模式中，控制装置仅提供两类反应源...; 陈弘马紫光贾海强王文新江洋王禄李卫; 文献传递

基于量子阱带间跃迁的光电探测器: 本发明涉及基于量子阱带间跃迁的光电探测器。一种光电探测器可包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间...; 陈弘王禄贾海强马紫光江洋王文新; 文献传递

基于量子阱带间跃迁的红外探测器: 体材料带间跃迁和量子阱子带间跃迁，是目前红外探测器常采用的两种工作机制.而基于低维半导体材料带间跃迁工作机制的探测器，一直以来被认为不具有制备高性能器件的可能性.主要原因在于：1 光生载流子克服量子阱势垒限制，将损失量子...; 王禄孙令刘洁鲁金蕾江洋马紫光贾海强王文新陈弘

1.0eV GaAs基InAs量子点太阳能电池: 2017年; 三结InGaP/GaAs/Ge太阳能电池理论设计中加入带隙为1.0 eV的材料代替带隙为1.4 eV的GaAs中间电池有助于解决多结串联电池的电流阻塞效应实现电流匹配,然而带隙为1.0 eV的InGaAs和GaInNAs外延困难.我们利用分子束外延方法外延得到In0.15Ga0.85As量子阱,InAsdots-in-well量子点以调整太阳能电池带隙.X射线衍射谱中观察到了量子阱的多级卫星衍射峰,量子阱界面陡峭.扫描透射图显示量子点呈金字塔状,量子点的高度约为12 nm,底边长约为27 nm.由原子力显微镜图可知,量子点密度约为2×10^(10) cm^(-2).低温光致发光谱显示量子点在As4束流下呈双模分布.光电流响应谱显示InAsdots-in-well量子点太阳能电池吸收波长可以达到1300 nm,相应于带隙约为1.0 eV.器件J-V特性显示短路电流相比于GaA s标准p-i-n电池增加了37.8%.这表明该InAsdots-in-well量子点太阳能电池有望改善多结太阳能电池的设计中的电流阻塞效应,实现电流匹配,在多结太阳能电池的设计中具有广阔的应用前景.; 王文奇王禄王禄马紫光江洋刘洁马紫光贾海强孙令; 关键词：量子点太阳能电池

量子阱带间跃迁探测器基础研究(特邀): 2021年; 在最近的实验中,PN结型量子阱结构被观察到反常的载流子输运情况,其相应的物理机制和载流子输运模型被提出。通过系统实验观察到,PN结量子阱结构材料在共振激发模式下,仍可测出开路电压或短路电流。对比开路和短路情况下的光致荧光(PL)光谱,发现短路下PL强度明显降低。这说明短路状态下的光生载流子没有被限制在量子阱内,而是逃逸出结区。这种载流子逃出量子阱的现象却没有在等量偏压下的NN型量子阱结构中发现,说明载流子逃出量子阱并非由传统的热激发或隧穿的作用导致。据此,笔者提出了相应的物理机制和载流子输运模型对此现象进行解释,认为光生载流子能在PN结内建电场的作用下直接逃出量子阱,并且辐射复合发光发生在载流子逃逸过程之后。; 岳琛杨浩军吴海燕李阳锋孙令邓震杜春花江洋江洋马紫光贾海强贾海强; 关键词：探测器载流子输运

量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管: 本发明提出一种量子阱结构，其包括靠近P掺杂区的单量子阱结构及靠近N掺杂区的多量子阱结构，所述单量子阱结构为有源层的发光区，且所述单量子阱结构的禁带宽度小于所述多量子阱结构的禁带宽度。所述量子阱结构能够显著提高较低禁带宽度...; 陈弘贾海强江洋马紫光王文新王禄戴隆贵李卫; 文献传递

一种发光二极管外延结构: 本发明公开一种发光二极管（LED）外延结构，包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括一个或多个基本周期性结构，所述基本周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括多个耦合阱，所述多个耦合阱均为窄阱，相邻的耦合阱之间有窄...; 贾海强陈弘马紫光江洋王文新王禄李卫; 文献传递

一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法: 本发明提供一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：1）在硅基底上形成具有露出该硅基底的开口的第一子隔离层；2）利用横向生长法在第一子隔离层和所述硅基底上形成硅薄膜构成的种子层；3）在种子层上形成掩膜，覆盖所述开口之间的...; 陈弘贾海强江洋王文新马紫光王禄李卫; 文献传递