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李丽

作品数:4 被引量:29H指数:3
供职机构:河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金教育部基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇阻挡层
  • 2篇互连
  • 1篇电性能
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能
  • 1篇铜互连
  • 1篇退火
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇快速退火
  • 1篇扩散阻挡层

机构

  • 4篇河北大学
  • 1篇燕山大学

作者

  • 4篇李丽
  • 4篇刘保亭
  • 3篇周阳
  • 2篇霍骥川
  • 2篇李晓红
  • 2篇彭英才
  • 2篇邢金柱
  • 2篇张湘义
  • 2篇王侠
  • 1篇王凤青
  • 1篇王宽冒
  • 1篇张新
  • 1篇郭颖楠
  • 1篇李曼
  • 1篇闫小兵
  • 1篇赵敬伟
  • 1篇倪志宏

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
溶胶-凝胶法制备BiFeO_3薄膜的结构及物性研究被引量:21
2008年
应用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFeO3薄膜,构架了Pt/BiFeO3/Pt电容器。采用X射线衍射仪和铁电测试仪研究了Pt/BiFeO3/Pt电容器的结构和物理性能。实验发现BiFeO3最佳的结晶温度为600℃,X射线衍射图谱显示BiFeO3薄膜结晶状况良好,原子力显微镜照片显示BiFeO3表面颗粒均匀。Pt/BiFeO3/Pt电容器具有良好的电学性能,在驱动电压为5V的情况下,Pt/BiFeO3/Pt电容器的电滞回线具有良好的对称性,漏电流密度小于10-4A/cm2,研究发现BiFeO3薄膜log(J)/log(E)关系满足空间电荷限制电流传导机制。
李丽刘保亭张新闫小兵郭颖楠
关键词:溶胶-凝胶法铁电性能漏电流
用于Cu互连阻挡层的非晶Ni-Al薄膜研究被引量:3
2008年
以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测试仪研究了不同温度下高真空退火样品的表面形貌、微观结构与输运性质。实验发现非晶Ni-Al薄膜在高达750℃的退火温度仍能保持非晶结构,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明了非晶Ni-Al薄膜具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料。
霍骥川刘保亭邢金柱周阳李晓红李丽张湘义王凤青王侠彭英才
关键词:CU互连扩散阻挡层
SrRuO_3导电层对快速退火制备Pb(Zr,Ti)O_3薄膜结构和性能的影响被引量:6
2010年
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,制备了Pt/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/Pt和SrRuO3(SRO)/PZT/SrRuO3(SRO)异质结电容器,并研究了快速退火条件下SRO导电层对PZT结构和性能的影响。XRD测试表明,两种结构电容器中的PZT薄膜均为钙钛矿结构,SRO/PZT/SRO、Pt/PZT/Pt均具有较好的铁电性和脉宽依赖性,5V电压下两电容器的剩余极化强度Pr和矫顽电压Vc分别为28.3μC/cm2、1.2V和17.4μC/cm2、2.1V。在经过1010次翻转后,SRO/PZT/SRO铁电电容器疲劳特性相对于Pt/PZT/Pt电容器有了较大的改善,但SRO导电层的引入也带来了漏电流增大的问题。
王宽冒刘保亭倪志宏赵敬伟李丽李曼周阳
关键词:锆钛酸铅快速退火
磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜被引量:1
2009年
采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400~800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明:当退火温度低于750℃时,试样表面平整,表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变,此时,非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用;当退火温度在800℃时,试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大,此时,非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。
邢金柱刘保亭霍骥川周阳李晓红李丽张湘义彭英才王侠
关键词:铜互连阻挡层射频磁控溅射
共1页<1>
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