王侠
- 作品数：9 被引量：14H指数：2
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金教育部基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备被引量：1
- 2008年
- 利用高频感应加热化学气相沉积(HFCVD)工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,分别在n-(111)Si衬底上常规热生长的SiO2层、织构的SiO2层和纳米晶粒多晶Si薄膜表面上,制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、密度分布与择优取向等结构特征。结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状态。本实验获得的最好的薄膜中,Si晶粒平均尺寸约为2.3μm,密度分布约为3.8×107/cm2。对薄膜的沉积机理分析表明,衬底表面上Si原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着大晶粒多晶Si膜的生长。
- 马蕾张雷王侠彭英才
- 关键词：HFCVD织构表面大晶粒
- 用于Cu互连阻挡层的非晶Ni-Al薄膜研究被引量：3
- 2008年
- 以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测试仪研究了不同温度下高真空退火样品的表面形貌、微观结构与输运性质。实验发现非晶Ni-Al薄膜在高达750℃的退火温度仍能保持非晶结构,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明了非晶Ni-Al薄膜具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料。
- 霍骥川刘保亭邢金柱周阳李晓红李丽张湘义王凤青王侠彭英才
- 关键词：CU互连扩散阻挡层
- 提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径被引量：5
- 2008年
- 多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低,被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线,介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-i-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施;综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展,并对其发展前景做了预测。
- 彭英才姚国晓马蕾王侠
- 关键词：大晶粒太阳电池
- 掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性被引量：2
- 2008年
- 采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼(B)掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si(nc-poly-Si(B))薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等手段,检测和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸和密度分布等结构特征。结果表明,在典型工艺条件下,获得了晶粒尺寸为大约15 nm和密度分布为大约9×1010cm-2的nc-poly-Si(B)薄膜。样品经退火处理后,Si晶粒尺寸变大,排列更加有序,而且电导特性明显改善。利用常规四探针法测量了样品的薄层电阻,并讨论了B掺杂浓度和退火温度对薄膜电学性质的影响。
- 彭英才康建波马蕾张雷王侠范志东
- 关键词：LPCVD结构特征热退火电学性质
- 沉积温度对磁控溅射生长SrRuO_3薄膜结构和性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了SrRuO3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响。实验结果表明:当生长温度低于550℃时,SrRuO3薄膜为多晶结构;当温度在550～650℃范围内变化时,SrRuO3薄膜可以在SrTiO3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5mΩ.cm。
- 王宽冒张沧生李曼周阳王玉强王侠彭英才刘保亭
- 关键词：SRRUO3磁控溅射
- 掺杂大晶粒多晶Si薄膜的制备与电学特性
- 多晶Si薄膜太阳电池由于具有高转换效率、性能稳定，以及低成本的优势，近几年成为太阳电池研究开发的热点。本工作首先利用太阳电池二维模拟软件，研究了少子寿命、扩散长度、表面复合速率等特性参数对太阳电池转换效率的影响，并指出了...
- 王侠
- 关键词：结构特征电学特性化学气相沉积高频感应加热
- 文献传递
- 钝化处理在消除多晶Si薄膜缺陷中的应用被引量：1
- 2008年
- 介绍了消除多晶Si太阳电池薄膜中缺陷的各种钝化方法,主要包括利用氢等离子体、SiNx∶H薄膜、Se单原子层、二元(Al2O3)x(TiO2)1-x合金、SiO2/Si/SiO2量子阱以及湿法化学反应所实现的对缺陷进行有效钝化处理等方法;基于本研究领域的最新进展,对各种方法的优缺点进行了分析归纳。指出H钝化可获得较好的钝化效果,但在后续热处理过程中,Si—H键会由于温度过高而断裂,致使氢离子离开表面而使钝化效果变差;SiNx∶H氮化物薄膜可以有效阻挡氢的外扩散,保持钝化效果的稳定性,还可以起到对光的减反射作用。研制具有较低的光反射率、非平衡载流子的高收集效率以及低界面态密度的薄膜和提高薄膜的机械强度是当前科学工作者应该关注的课题。
- 王侠张雷马蕾彭英才
- 关键词：多晶硅钝化处理光伏特性晶粒间界
- 磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜，然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜，制备了铜膜／钛-铝膜／硅试样；对试样分别在400～800℃内进行真空退火处理，用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明：当退火温度低于750℃时，试样表面平整，表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变，此时，非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用；当退火温度在800℃时，试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大，此时，非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。
- 邢金柱刘保亭霍骥川周阳李晓红李丽张湘义彭英才王侠
- 关键词：铜互连阻挡层射频磁控溅射
- Ge纳米结构的制备技术与发光特性研究进展
- 2008年
- Si基纳米发光材料与器件的研究是目前半导体光电子技术领域中的一个活跃前沿.除了Si纳米晶粒、Si量子点和Si/SiO2超晶格等Si纳米结构之外,属于同族元素的Ge纳米结构也因其所具有的优异特性,而呈现出良好的发光性能.评述了Ge纳米结构的制备方法与发光特性在近年内取得的研究进展.
- 张雷彭英才马蕾徐卓王侠
- 关键词：光致发光电致发光量子限制效应
