易扬波
- 作品数：80 被引量：56H指数：4
- 供职机构：东南大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省普通高校研究生科研创新计划项目东南大学优秀博士学位论文基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 平板显示器功率驱动芯片的Latch-up及克服方法
- 2008年
- 详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。借助TCAD软件详细研究了少子环位置及宽度对抗Latch-up效果的影响。实验结果证明,采用该方法可以有效地克服功率集成电路的Latch-up现象。
- 易扬波孙伟锋宋慧滨唐晨
- 关键词：驱动芯片LATCH-UP
- 面向PDP显示的数字逻辑电路及其设计被引量：2
- 2004年
- 等离子体显示板 (PDP)技术是一种极具前景的主动发光式平板显示技术 ,其驱动技术一直是研究热点之一。文中在介绍PDP驱动系统框架和PDP显示驱动系统中的数字逻辑功能的基础上 ,针对交流 (AC)型PDP在ADS驱动方式下对图像数据的处理和对驱动状态的控制 ,提出一种面向PDP显示驱动的数字逻辑系统设计方案 ,并对方案中主要模块的功能、设计思路及存在的挑战进行了说明。最后 ,结合实验屏的驱动电路进行了逻辑设计仿真和系统验证。文中提出的数字逻辑设计方案对进行PDP显示驱动控制系统设计和相关专用集成电路设计具有重要的借鉴意义。
- 彭振雄易扬波孙伟锋
- 关键词：数字控制电路数字逻辑设计
- 高压功率集成电路用少子环隔离结构
- 本发明公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底上设有两块场氧化层，在P型衬底上设有重掺杂N阱且该重掺杂N阱位于两块场氧化层之间，在重掺杂N阱与...
- 易扬波孙伟锋李海松李杰徐申夏晓娟时龙兴
- 文献传递
- 平板显示的驱动芯片用高压器件结构
- 本实用新型公开了一种平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型...
- 孙伟锋易扬波时龙兴
- 文献传递
- 单个浮置场限环终端结构击穿电压模型被引量：1
- 2009年
- 基于B.J.Baliga的击穿电压理论,通过求解双边突变圆柱结的泊松方程,提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果与模拟结果的误差在±7%之内,具有精度高、应用范围广等特点,可以帮助设计者初步确定浮置场限环注入窗口大小及与主结的间距等关键参数。
- 孙伟锋王佳宁易扬波
- 关键词：终端结构
- 高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法
- 本发明公开一种高压N型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱上设有P型接触孔、N型源及场氧化层，在N型漂移区上设有N型漏及场氧化层，其特征在于位于P型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于...
- 李海松钱钦松孙伟锋易扬波陆生礼时龙兴
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- 沟槽高压P型金属氧化物半导体管
- 本实用新型公开了一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区，在P型漏区上设有P型外延，在P型外延上设有N型阱，在N型阱上设有P型源区和N型接触孔，在N型阱及P型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟...
- 孙伟锋刘侠戈喆易扬波陆生礼时龙兴
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- 高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法
- 一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N...
- 孙伟锋易扬波夏小娟徐申陆生礼时龙兴
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- 厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法
- 本发明公开了一种厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法，本发明的半导体管包括：P型衬底，N型埋层，N型外延层，N型阱和P型漂移区，在P型源、N型接触孔、N型阱、N型埋层；P型漂移区及P型漏的上方设有氧化层，P型源及N...
- 孙伟锋李海松李杰易扬波徐申夏晓娟时龙兴
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- 一种基准电压源电路
- 本发明公开了对电源电压变化的敏感程度很小的高稳定性的一种基准电压源电路，包括电压源电路，电源预调整电路，电源预调整电路的电压输入端接电源Vdd，其预调整电源端连接电压源电路的输入供电源端，电压源电路的基准电压输出端连接电...
- 夏晓娟谢亮孙伟锋易扬波陆生礼时龙兴
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