张增院
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：郑州大学物理工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省教育厅自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 直流脉冲磁控反应溅射技术制备掺铝氧化锌薄膜的研究被引量：3
- 2012年
- 采用直流脉冲磁控反应溅射技术,在不同氧氩比(GFR)条件下玻璃衬底上制备了一系列掺铝氧化锌(AZO)薄膜,并利用X射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计从宏观应力和微观晶格畸变的角度研究了GFR对薄膜结构、表面形貌和光学特性的影响.制备的多晶AZO薄膜呈现了明显的ZnO-(103)择优取向,这归结于3 h薄膜沉积过程中伴随的退火引起的薄膜晶面能转变.随着GFR的增大,AZO薄膜内宏观拉应力先增大到最大值,随后宏观压应力随着GFR的继续增大而增大.薄膜中的宏观应力明显随着GFR从拉应力向压应力转变.这与晶格微观畸变诱导的微观应力的研究结果趋势恰恰相反.随着GFR的增加,薄膜在可见光区的平均透射率先增加后减小,薄膜晶粒尺寸诱导的晶界散射是影响薄膜透射率的主导机制.
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- 关键词：光学性质
- 氧化银薄膜的微结构对其反射率和透射率的影响被引量：5
- 2010年
- 保持150℃的衬底温度不变,通过调节氧氩比(OFR=[O2]/[Ar]),利用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了一系列氧化银薄膜。利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜和分光光度计重点研究了薄膜的微结构对其反射率和透射率的影响。研究表明随着OFR的升高,氧化银薄膜呈现了从Ag+Ag2O多晶结构到Ag2O多晶结构的演变。薄膜的表面相应地呈现了从疏松的多孔结构到类金字塔结构的演变。较高的Ag2O含量和致密的表面形貌有利于薄膜可见和红外区的透光性,而较高的银含量和疏松的多孔结构则造成对光的强烈吸收,急剧地降低了薄膜的透射率和反射率。特别是在OFR为0.5条件下成功制备了具有(111)择优取向的Ag2O多晶薄膜,有效地将氧化银热分解的临界温度降低到200℃左右。
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- 关键词：直流反应磁控溅射
- 光快速热处理温度对氧化银多孔薄膜微结构和表面形貌演化的影响
- 2010年
- 利用直流反应磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了氧化银薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明制备的氧化银薄膜主要由Ag和Ag2O组成,具有疏松、多孔的表面特征。制备的氧化银薄膜经过5 min光快速热处理后,薄膜由多晶转变为非晶;随着退火温度由200℃升高到300℃,氧化银薄膜表面由疏松、多孔结构向沟道、坑和孔洞联通结构,再向孔洞和洼地结构演变。这些演变归结为氧化银薄膜的不稳定性和严重的表面再构的结果。
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- 关键词：磁控溅射多孔薄膜
- 真空热退火温度对单相Ag_2O薄膜微结构和光学性质的影响被引量：1
- 2011年
- 利用直流磁控反应溅射技术在玻璃衬底上沉积了单相Ag2O薄膜,并采用真空热退火对单相Ag2O薄膜在不同热退火温度(TA)下进行了1h热处理.利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜和分光光度计研究了TA对单相Ag2O薄膜微结构和光学性质的影响.研究结果表明,TA=300℃时Ag2O薄膜中开始出现Ag纳米颗粒,且随着TA的升高薄膜中Ag的含量明显增加.特别是当TA=475℃时Ag2O相完全转化为Ag.随着TA的升高,薄膜的表面形貌发生了由致密到疏松的结构演变.薄膜微结构的变化显示在真空热退火过程中伴随着Ag2O相热分解为Ag和O原子及O原子在体内的扩散和从表面的逃逸过程.薄膜的透射率、反射率和吸收率随TA的变化归结于热退火过程中Ag2O的热分解和薄膜结构的演变.
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- 关键词：微结构光学性质
- 氧化银薄膜的制备和相关性质研究
- 近年来,氧化银(AgχO)由于在光存储和磁光存储方面的潜在应用受到了越来越多的关注。其在光存储和磁光存储的应用主要是基于它的热分解效应。目前由于双相的AgχO薄膜的热分解的临界温度偏高(约400℃),这已成为其未来产业化...
- 张增院
- 关键词：直流磁控溅射热稳定性微结构光学性质磁光存储
- 反应气压对直流磁控反应溅射制备的氧化银薄膜的结构和光学性质的影响被引量：2
- 2011年
- 利用直流磁控反应溅射技术,通过调节反应气压(RP),在250℃衬底温度下制备了一系列氧化银(AgxO)薄膜,并利用X射线衍射谱、能量色散谱和分光光度计重点研究了RP对AgxO薄膜的结构和光学性质的影响.研究结果表明,随着RP从0.5Pa升高到3.5Pa,薄膜明显呈现了从两相(AgO+Ag2O)到单相(Ag2O)结构再到两相(Ag2O+AgO)结构的演变.特别是在RP=2.5Pa时成功制备了单相Ag2O薄膜,使AgxO薄膜的热分解临界温度的有效降低成为现实.AgxO薄膜透明区的透射率随RP的增加而增加,而反射率和吸收率随RP的增加而减小.该结果可归结于薄膜相结构的演变和薄膜厚度的减小.两相(AgO+Ag2O)薄膜的吸收边在2.75eV附近,而单相(Ag2O)和Ag2O相占主导的两相(Ag2O+AgO)薄膜的吸收边在2.5eV附近.
- 张增院郜小勇冯红亮马姣民卢景霄
- 关键词：直流磁控反应溅射X射线衍射谱光学性质
