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波动式管体焊料真空浇注器: 本发明公开了一种波动式真空浇注器，用于微光像增强器铟封工艺。该浇注器包括带旋钮和压杆的波动导向组件、带闸门杆、焊料池的焊料池组件、管体定位夹具和进料筒。使用时，焊料池、管体分别通过波动导向组件和管体定位夹具以分离方式固定...; 徐江涛程耀进侯志鹏张晓辉闫磊刘蓓蓓杨天海刘峰师宏立李敏祝婉娉; 文献传递

电真空器件管壳耐压特性分析: 2005年; 本文指出了电真空器件的高压放电和击穿类型,真空击穿和沿面闪络的物理机理、影响因素和预防措施。; 程耀进程宏昌师宏立李敏; 关键词：电真空器件沿面闪络耐压强度

像增强器亮度增益测试的重复性研究被引量：9: 2013年; 亮度增益是衡量微光像增强器图像增强能力的一个重要技术指标,其直接影响着微光夜视系统的观察效果。为了提高像增强器亮度增益测试的重复性,在给像增强器提供稳定供电的条件下研究了光源色温、光源输出光亮度以及荧光屏发光亮度随时间的变化过程,分析了光源色温和光源输出光亮度对于亮度增益的影响机理以及荧光屏发光亮度对于亮度增益测试的影响过程,确定了光源的预热时间不少于15 min且像增强器的工作时间不少于1 min的结论。实际测试结果表明:当光源充分预热且严格控制像增强器的工作时间时测量得到的像增强器亮度增益的重复性优于3%。; 拜晓锋尹雷胡文师宏立贺英萍; 关键词：亮度增益像增强器荧光屏

低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究被引量：2: 2008年; 为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击，提高微光像增强器的工作寿命，开展了低磁控溅射率法沉积微通道板（MCP）Al2O3防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺，获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件：溅射电压1000V，溅射气压（4～5）×10^-2Pa，沉积速率0．5nm／min等。研究结果表明：在此工艺条件下，能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜。如果偏离这一最佳工艺条件，制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续，且通孔不能满足要求。; 朱宇峰张太民聂晶师宏立; 关键词：磁控溅射防离子反馈膜

透射式p型GaN(0001)光电阴极的表面洁净度及表征研究: 2016年; 在p型GaN(0001)光电阴极的化学腐蚀和高温热清洗的处理过程中,为了评价化学处理和热清洗的效果,利用X射线光电子谱分析了不同阶段的光电阴极表面状况。结果表明,开始处理前,表面存在严重的C、O污染,C的表面覆盖率接近2个单原子层,而O稍小于1个单原子层,并且表面生成Ga_2O_3氧化层。经2:2:1的H_2SO_4:H_2O_2:H_2O混合溶液化学腐蚀处理后,C的表面覆盖率为0.36个单原子层,O的覆盖率为0.21个单原子层,化学腐蚀去除了大部分的C、O污染,露出了体材料。700℃高温热处理后,表面的C覆盖率低于百分之一个单原子层,而O的覆盖率也仅为0.07个单原子层,基本去除了C、O污染,并且表面Ga:N比为1.01:1,达到体材料的理想配比。GaN光电阴极在H_2SO_4/H_2O_2混合溶液中腐蚀15 min并在700℃下真空热清洗30min后,可以有效去除C、O污染和氧化物,获得洁净表面,进行Cs-O激活后可以获得负电子亲和势。; 冯刘石峰苗壮程宏昌师宏立高翔王龙牛森; 关键词：GAN X射线光电子谱化学腐蚀

近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究被引量：1: 2009年; 依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。; 程耀进徐江涛徐珂侯志鹏师宏立刘峰; 关键词：近贴聚焦成像器件气密性

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析: 2011年; 为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。; 徐江涛程耀进张太民李敏师宏立刘蓓蓓侯志鹏刘峰祝婉娉; 关键词：近贴聚焦成像器件

电极表面状态对像增强器耐压性能的影响被引量：1: 2017年; 像增强器(简称像管)的耐压性能是影响其增益,背景噪声和分辨力的一个重要因素。引起像管电击穿的原因很多,其中,电极的表面形态在其击穿的起始阶段发挥着重要的作用。本文针对像管特有的高场强微间隙电场结构,通过对不同电极进行耐压测试实验,研究其对像管耐压性能的影响。运用表面形貌测试仪对电极表面进行3D形貌测试,结果表明电极表面微凸起形状和尺寸的不同对像管耐压性能的影响差异显著,提高材料表面光洁度对于提高像管耐压性能有着重要的促进作用,最终为突破高场强微间隙像管工艺制作技术提供理论依据。; 杨晓军焦岗成李世龙师宏立侯志鹏李丹邱洪金黄武军; 关键词：像管场致发射耐压性能

三代微光像增强器分辨力计算理论模型被引量：18: 2007年; 分辨力和传递函数MTF是微光像增强器的2个重要参数。长期以来,人们对于三代微光像增强器阴极发出的电子初能量分布没有统一的认识,从而没有一个公认的分辨力和MTF计算模型。通过理论分析和假设,给出一定条件下一个分辨力计算模型。把实际测得的第一近贴距、第二近贴距、阴极电压和荧光屏电压等数值代入分辨力计算模型中,可以得到分辨力理论值。经与实际测量值进行比对,发现二者偏差值在12.3%以内,此理论模型基本符合实际需求。该分析方法和所得结果有一定实用价值,可作为设计三代微光像增强器的技术参考。; 程耀进向世明师宏立; 关键词：三代微光像增强器分辨力 MTF

微通道板(MCP)电子清刷用电子枪的设计被引量：4: 2007年; 为了满足Φ30 mm MCP大束流短时间电子清刷新工艺要求,以轴向电子枪工作原理为基础,利用静电场对电子的作用理论,分析了电子的运动轨迹,并对电子的偏转进行了计算。根据计算结果,设计了电子枪的基本结构,确定了电子枪的各种参数:灯丝材料为Φ0.05 mm的钨(75%)铼(25%)合金丝;灯丝形状为"∨"字型;电子枪外径为Φ35 mm,高度为20 mm,最大加热功率为12.6 W时,电子发射电流密度达到1.26×10-5A/cm2。用该电子枪对4块性能相近的Φ30 mm MCP电子清刷4 h后,MCP的增益值达到500±50。这表明:用新电子枪可以代替原RUS-A型电子枪。; 程宏昌石峰候志鹏师宏立史鹏飞; 关键词：电子枪灯丝

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师宏立