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屠睿

作品数:3 被引量:6H指数:1
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电容提取
  • 1篇亚微米
  • 1篇英文
  • 1篇深亚微米
  • 1篇四管
  • 1篇微米
  • 1篇六管
  • 1篇解析模型
  • 1篇互联
  • 1篇二维解析模型
  • 1篇保角变换
  • 1篇FDP
  • 1篇FPGA
  • 1篇超深亚微米

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇屠睿
  • 2篇邵丙铣
  • 1篇王建
  • 1篇陈利光
  • 1篇余慧
  • 1篇张火文
  • 1篇王亚斌
  • 1篇王元
  • 1篇王颀
  • 1篇卢海舟
  • 1篇吴芳
  • 1篇申秋实
  • 1篇李晴
  • 1篇黄均鼐
  • 1篇刘丽蓓
  • 1篇来金梅
  • 1篇潘光华
  • 1篇童家榕

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇计算机辅助设...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于保角变换的片内互连线电容二维解析模型
2005年
通过保角变换严格推导了计入交叠电场贡献的有用电容元的解析表达式,在此基础上提出的互连线二维解析模型能够在一定的连线截面几何参数范围内取得精确的提取结果.实验证明,对于双线系统和多线系统,文中推导的解析模型的提取误差的均方值分别小于2%和7%,均优于对比文献的提取精度.作为一种有竞争力的电容提取方法,该解析模型能够应用于互连线分析设计工具软件之中.
王颀屠睿邵丙铣
关键词:电容提取保角变换
超深亚微米无负载四管与六管SRAMSNM的对比研究被引量:5
2006年
采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。
屠睿刘丽蓓李晴邵丙铣
FDP FPGA芯片的设计实现(英文)被引量:1
2008年
研究了新型的FDP FPGA电路结构及其设计实现.新颖的基于3输入查找表的可编程单元结构,与传统的基于4输入查找表相比,可以提高约11%的逻辑利用率;独特的层次化的分段可编程互联结构以及高效的开关盒设计,使得不同的互联资源可以快速直接相连,大大提高了可编程布线资源效率.FDP芯片包括1600个可编程逻辑单元、160个可用IO、内嵌16k双开块RAM,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺全定制方法设计并流片,其裸芯片面积为6.104mm×6.620mm.最终芯片软硬件测试结果表明:芯片各种可编程资源可以高效地配合其软件正确实现用户电路功能.
陈利光王亚斌吴芳来金梅童家榕张火文屠睿王建王元申秋实余慧黄均鼐卢海舟潘光华
关键词:FPGA
共1页<1>
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