您的位置： 专家智库 > >

宋科田

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇纳米
  • 5篇半导体
  • 4篇纳米金
  • 4篇纳米金属
  • 4篇金属
  • 4篇金属纳米
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 3篇增透
  • 3篇增透膜
  • 3篇纳米点
  • 3篇半导体发光二...
  • 2篇导体
  • 2篇电子束
  • 2篇电子束激励
  • 2篇荧光
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇紫外

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇宋科田
  • 5篇林祖伦
  • 4篇曹贵川
  • 4篇祁康成
  • 2篇李春
  • 1篇李春

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
一种场电子激励下的紫外光源结构及其制备方法
本发明公开了一种场电子激励下的紫外光源结构，其特征在于：包括阴极发射体和与阴极发射体之间以真空为间隔的受激发光体，阴极发射体与受激发光体的间距为100～1000μm；所述阴极发射体包括金属或半导体衬底和至少部分覆盖于金属...
李春宋科田兰长勇
发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法
本发明涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法。发光二极管表面金属周期性亚波长结构，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周...
林祖伦宋科田祁康成曹贵川
一种场电子激励下的紫外光源结构及其制备方法
本发明公开了一种场电子激励下的紫外光源结构，其特征在于：包括阴极发射体和与阴极发射体之间以真空为间隔的受激发光体，阴极发射体与受激发光体的间距为100～1000μm；所述阴极发射体包括金属或半导体衬底和至少部分覆盖于金属...
李春宋科田兰长勇
文献传递
发光二极管表面金属周期性亚波长结构
本实用新型涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构。发光二极管表面金属周期性亚波长结构，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周期性亚波...
林祖伦宋科田祁康成曹贵川
文献传递
场电子激励下ZnO纳米晶薄膜的紫外发光特性
2013年
利用射频磁控溅射结合水热生长两步法制备了均匀致密分布的ZnO纳米晶薄膜,并利用碳纳米管阵列场发射阴极测试了其场电子激励下的发光特性。结果表明,在电子束流激励下,ZnO纳米晶薄膜的光谱具有两个发射峰,其中黄绿峰属于缺陷发光而紫外峰来源于ZnO的内在激子,且随电子束流密度的增大紫外峰发光强度增长明显。另外,还发现ZnO纳米晶薄膜相对于常规ZnO薄膜的光谱有一定程度的红移,近紫外峰已移至紫光波段。
宋科田林祖伦李春
关键词：光电子学
发光二极管表面金属亚波长嵌入式光栅结构及制备方法
本发明涉及发光二极管表面金属亚波长嵌入式光栅结构及制备方法。位于包含衬底、n型层、发光层和p型层的LED芯片的p型层之上，其特征在于，所述金属亚波长嵌入式光栅结构包括隔离层、纳米金属体和保护层，所述隔离层嵌入到p型层上表...
林祖伦宋科田祁康成曹贵川
文献传递
场电子激励下ZnO纳晶薄膜紫外发光特性研究
在节能减排、绿色环保的时代主题下，发掘更高效能、更低成本、环境友好型发光器件是光电子产业发展的基本目标之一。另一方面，紫外光源在环境净化、有机聚合、荧光激发源、半导体工艺等领域有重要应用，特别作为荧光粉激励源，紫外光源加...
宋科田
关键词：碳纳米管阵列
文献传递
发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法
本发明涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法。发光二极管表面金属周期性亚波长结构，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周...
林祖伦宋科田祁康成曹贵川
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0