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孙义林

作品数:7 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域:电子电信核科学技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇离子束
  • 4篇离子
  • 4篇离子源
  • 4篇离子注入
  • 2篇熔融玻璃
  • 2篇离子束辅助
  • 2篇离子束辅助沉...
  • 2篇溅射
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体发射
  • 1篇等离子体密度
  • 1篇叶片式
  • 1篇探针
  • 1篇注入机
  • 1篇离子束混合
  • 1篇离子束增强沉...
  • 1篇离子注入机
  • 1篇抗高温氧化
  • 1篇监测仪
  • 1篇红外

机构

  • 7篇中国科学院上...

作者

  • 7篇孙义林
  • 4篇张福民
  • 2篇关安民
  • 2篇牟海川
  • 1篇江炳尧
  • 1篇张玉春
  • 1篇李钧
  • 1篇柳襄怀
  • 1篇蒋新元
  • 1篇曹德福

传媒

  • 2篇核技术
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1994
  • 2篇1991
  • 1篇1989
  • 1篇1986
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一台新型的宽束离子束混合装置被引量:1
1991年
本文描述了材料表面改性或优化的新型宽束离子束混合装置。系统含有引出离子不同能量范围的三种离子源。可用于单离子注入,离子束混合,单离子或反应离子束溅射淀积以及离子束增强淀积。它装备有大的水冷却台,可进行各种复杂的运动,以满足处理各种复杂形状的大的工件的需要。本文还对该机的两种使用实例做了介绍。
孙义林张玉春曹德福张福民陈酉善
关键词:离子束混合离子注入
离子束增强沉积Si_3N_4/Si多层红外干涉滤波薄膜
1997年
利用离子束增强沉积工艺,在硅基片上制备Si3N4/Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明,N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了关键作用薄膜的折射率可达1.74~1.
江炳尧张福民孙义林陈酉善柳襄怀
关键词:离子束增强沉积
离子束辅助沉积铂膜的成型模具
本发明是离子束辅助沉积铂膜的成型模具,属于真空蒸发、溅射及离子注入膜层形成材料涂覆的技术领域,它是在成型模具基体上用离子束辅助沉积形成3—20微米的铂膜,用氮或惰性气体作为清洗和轰击离子源的放电气体,用惰性气体作为溅射离...
孙义林张福民陈酋善牟海川
文献传递
321型束流剖面监测仪在离子束技术中的应用
1986年
束流剖面监测仪是监测带电粒子束在传输过程中状态变化的一种装置。该装置的叶片式探针(以下简称探针)安装在粒子加速器、同位素分离器和离子注入机等监测位置上并由它把截获的信号显示在示波器屏上便可观察到沿束横截面束流密度分布曲线(以下简称束形)。通过束形变化我们可定性地判断束流强度、束流品质和它在束管道中的相对位置等。因此,它在国外各种类型的粒子加速器上广为使用。
孙义林关安民
关键词:离子源等离子体密度
820离子源在600kV离子注入机上的应用
1989年
文章报道了820离子源在600kV离子注入机上的应用。已经从820离子源引出了20个以上的离子品种应用于半导体、金属和绝缘体的材料改性研究。还讨论了离子束流污染问题。
关安民孙义林耿海阳李钧蒋新元
关键词:离子源离子注入机高能
离子束辅助沉积铂膜的成型模具及其工艺
本发明是离子束辅助沉积铂膜的成型模具及其工艺,属于真空蒸发、溅射及离子注入膜层形成材料涂覆的技术领域,它是在成型模具基体上用离子束辅助沉积形成3—20微米的铂膜,用氮或惰性气体作为清洗和轰击离子源的放电气体,用惰性气体作...
孙义林张福民陈酋善牟海川
文献传递
宽束离子束混合装置的研制
一.引言随着高科技的发展,在航天、冶金化工和精密机械等各领域中,对使用的另部件(简称工件)的性能提出更高的要求,如在温度升高,转速增快和腐蚀加剧的条件下,提高工件的耐磨,防腐和抗高温氧化等.众所周知,表面强化技术对于解决...
孙义林张玉春曹德福张福民冯毓材杨松涛尤大伟况园珠
文献传递
共1页<1>
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