吴南春
- 作品数：22 被引量：65H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 钨酸铅晶粒生长基元及水热制备研究被引量：7
- 2000年
- 钨酸铅 (PbWO4 )晶体结构可看作是钨氧四面体WO4 与铅离子Pb2 +的有序结合 .根据“生长基元”模型 ,钨酸铅晶体的生长基元是由钨氧四面体和铅离子有序结合而成的具有不同几何结构的聚集体 .棱锥体状、四方柱状和四棱柱状生长基元是钨酸铅晶体的有利生长基元 .这些有利生长基元的几何构型与钨酸铅晶体结晶学单形的几何方位相一致 .在低受限度生长条件下 ,钨酸铅晶粒的生长形态是这些有利生长基元几何构型的聚合 .这些结论完全被水热法制备实验结果证实 .
- 元如林施尔畏李汶军郑燕青吴南春仲维卓
- 关键词：钨酸铅晶体生长基元水热法晶体生长
- 介质对水热制备PbNb2O6晶粒形貌的影响
- 本文用水热法在不同的介质中制得了超细PbNbO陶瓷粉体.用XRD分析了粉体相组成,用SEM分析了粉体晶粒形貌,对粉体粒度分布、比表面和化学成分进行了测定.研究结果表明,酸性介质中生成的晶粒较大,为2～3μm,呈薄片状;碱...
- 吴南春施尔畏郑燕青李文军
- 关键词：水热法压电陶瓷
- 文献传递
- 正偏压对纳米金刚石薄膜显微结构和电学性能的影响
- ＜正＞ 化学气相沉积金刚石薄膜具有所有的天然金刚石单晶的物理性能,它们被认为是下列各种应用非常有希望的候选材料,如热沉,声表面波器件,X射线光刻掩模,传感器及其电子器件,光学元器件涂层,切割工具和滑动部件等。然而化学气相...
- 吴南春夏义本谭寿洪王林军
- 文献传递
- 正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响被引量：2
- 2007年
- 采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺,在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下,沉积了纳米金刚石薄膜．用X射线衍射,场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析．结果表明,施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向,表面形貌发生较大变化．当偏流为8A时,薄膜晶粒达到最小值,约为20nm,薄膜表面也最光滑．本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系．
- 吴南春夏义本谭寿洪刘健敏苏青峰王林军
- 关键词：纳米金刚石薄膜显微形貌电阻率
- 水热介质pH值对纳米(Ce)ZrO_2晶粒制备的影响被引量：6
- 2000年
- 用水热法制得纳米 (Ce)ZrO2 粉体 ,其晶粒粒度为 3～ 7nm ,而且为单一分散。用XRD、TEM分析了水热媒介pH值对粒度、m相含量、晶粒形貌的影响关系。结果表明 :水热煤介 pH值增大 ,ZrO2 晶粒也增大 ;pH值减小至酸性时 ,ZrO2 晶粒中出现部分m相 。
- 吴南春施尔畏郑燕青李文军
- 关键词：水热法反应机理
- 硫化物晶体的生长习性被引量：13
- 2000年
- 在自然界中硫化物晶体的种类较多，其结构较复杂，其中硫离子以S2-和对硫S2-2形式存在．一部分晶体的生长习性得不到满意的解释．本文采用配位多面体生长习性法则合理地解释了MoS2、ZnS、CuFeS2和PbS晶体的生长习性．发现MOS2晶体的生长习性为六方平板状｛0001｝，其各晶面的生长速度为：V＜0001＞＜V＜1010＞；CuFeS2和ZnS晶体的生长习性为四面体，其各晶面的生长速度为：V＜111＞＞V＜001＞＞V＜111＞；PbS晶体的生长习性为八面体｛111｝，立方体只是它的一种习性变化.
- 李汶军施尔畏郑燕青吴南春殷之文
- 关键词：生长习性晶体生长硫化物
- ZrO<,2>-Al<,2>O<,3>复相陶瓷中Y-TZP含量对强化增韧机制影响的研究
- 对不同ＺｒＯ〈，２〉含量的ＺｒＯ〈，２〉－Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉复相陶瓷材料的阻力曲线进行了研究，用Ｘ射线衍射法测量了ＺｒＯ〈，２〉－Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉复相陶瓷中各相的残作应力，对ＺｒＯ〈，２〉－Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３...
- 吴南春黄校先
- 关键词：陶瓷复合材料复相陶瓷增韧机理
- 水热晶化制备CeO2纳米粉体及其机理
- 本文用水热法制备得到无团聚的CeO纳米粉体。研究表明,水热处理的温度和时间对CeO纳米粉体的晶粒大小和形貌有重要影响,选择合适的水热处理的温度和时间可以得到单分散的晶粒尺寸约为10nm的CeO纳米粉体。本文用XRD和TE...
- 吴南春施尔畏郑燕青李文军
- 关键词：水热法CEO2纳米粉体
- 文献传递
- 纳米金刚石薄膜的光学性能研究被引量：7
- 2006年
- 用热丝化学气相(HFCVD)法在硅衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜,用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌和粗糙度,拉曼光谱表征膜层结构,紫外-可见光分光光度计测量其光透过率,并用椭圆偏振仪测试、建模、拟合获得了表征薄膜光学性质的n,k值.结果表明薄膜的晶粒尺寸在100nm以下,表面粗糙度仅为21nm;厚度为3.26(m薄膜在632.8nm波长处的透过率为25%,1100nm波长处达到50%.采用直接光跃迁机制估算得到纳米金刚石薄膜的光学能隙(Eg)为4.3 eV.
- 蒋丽雯王林军刘健敏阮建锋苏青峰崔江涛吴南春史伟民夏义本
- 关键词：纳米金刚石薄膜表面粗糙度
- 在SiC陶瓷衬底上生长纳米金刚石薄膜
- 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,在较低的反应气体压力下在SiC陶瓷衬底上成功生长出纳米金刚石薄膜.用拉曼光谱对纳米金刚石薄膜结构进行了分析,用光学显微镜对薄膜表面形貌进行了观察,用台阶仪对薄膜表面粗糙度进行了测量...
- 吴南春夏义本谭寿洪王林军
- 关键词：金刚石薄膜化学气相沉积法碳化硅纳米晶粒
- 文献传递
