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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇整流
  • 1篇整流器
  • 1篇正向压降
  • 1篇势垒
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇温度系数
  • 1篇晶体管
  • 1篇可靠性
  • 1篇发射极
  • 1篇反向恢复

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇吕沛
  • 2篇李泽宏
  • 1篇周春华
  • 1篇廖忠平
  • 1篇易黎
  • 1篇钱梦亮
  • 1篇李洵
  • 1篇谢刚
  • 1篇王宇

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种全恒温区双极晶体管的研制
发射区重掺杂引起的禁带变窄效应使常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数,为了获得电流增益HFE具有低温度系数的双极型晶体管,结合发射区轻掺杂技术,采用多品硅作部分发射极结构,设计一种全恒温区双极晶体管,试验结果表明,该...
李洵李泽宏吕沛
关键词:双极晶体管温度系数多晶硅发射极
文献传递
一种新型超势垒整流器
2008年
提出了一种新型的超势垒整流器(SBR)。对SBR结构势垒进行了理论分析,建立了该器件正向压降的解析式,并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小,反向恢复特性优于常规PN结二极管;SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导这类整流器件的设计。
谢刚廖忠平李泽宏周春华钱梦亮吕沛王宇易黎
关键词:正向压降反向恢复可靠性
共1页<1>
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