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候军燕

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：空军工程大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子陷阱
  • 1篇光导
  • 1篇光导开关
  • 1篇半绝缘
  • 1篇半绝缘GAA...
  • 1篇EL2

机构

  • 1篇空军工程大学

作者

  • 1篇李希阳
  • 1篇候军燕
  • 1篇戴慧莹
  • 1篇杨丽娜
  • 1篇施卫

传媒

  • 1篇大气与环境光...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探
2006年
为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。
李希阳戴慧莹施卫候军燕杨丽娜
关键词：半绝缘GAASEL2电子陷阱
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