陈仁刚
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京工业大学应用数理学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 射频磁控溅射法制备氧化锌薄膜的研究
- 采用射频磁控溅射技术,利用Zn靶,在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.通过X射线衍射(XRD)仪、傅立叶红外光谱仪、紫外-可见光分光光度计UV-3600对ZnO薄膜进行表征,分析氧气流量对氧化锌薄膜的影响.结果表明:氧气流量其对...
- 陈仁刚邓金祥崔敏孔乐陈亮苗一鸣庞天奇张紫佳
- 关键词：氧化锌薄膜射频磁控溅射法微观结构
- 文献传递
- 不同退火温度下氧化锌薄膜光学性能的研究
- 采用磁控溅射法在石英衬底上制备出结晶性良好的氧化锌薄膜,并在氧气气氛中不同的温度(100-800℃)下进行退火处理.然后利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、椭偏仪对其结晶性能和光学性能进行了表征,探讨了...
- 庞天奇邓金祥王吉有陈亮陈仁刚苗一鸣
- 关键词：退火温度折射率
- 文献传递
- 氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析被引量：2
- 2014年
- 射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型,通过Forouhi-Bloomer模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合,获得450-850 nm光谱区域的a-Si:H薄膜光学参数值。结果表明,随着工作气压增加,薄膜厚度增厚,沉积速率升高;相同工作气压下,随偏振光波长增大,折射率呈下降趋势;相同波长偏振光下,折射率随工作气压上升而下降,折射率变化范围在3.5-4.1;消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系,获得了薄膜的吸收谱,测算出不同工作气压下a-Si:H薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。
- 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞孔乐王旭
- 关键词：A-SI椭圆偏振光谱光学参数工作气压
- 射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振光谱研究被引量：1
- 2014年
- 在不同的衬底温度下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了氮化锌薄膜样品.用X射线衍射仪、原子力显微镜和椭偏仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质进行了表征分析.薄膜的晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,在200?C时薄膜的结晶性最好.用椭偏仪测试样品,建立物理模型计算出氮化锌薄膜在430—850 nm范围内的折射率和消光系数等光学参数.利用Tauc公式计算出氮化锌薄膜的光学带隙在1.73—1.79 eV之间.
- 陈仁刚邓金祥陈亮孔乐崔敏高学飞庞天奇苗一鸣
- 关键词：X射线衍射椭偏光谱光学参数
- 氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析
- 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜是一种优异的光电功能材料,具有光吸收率高、电阻温度系数大、可大面积低温成膜、易掺杂、基片种类不限、与硅半导体工艺兼容等突出优点,在太阳能电池、薄膜晶体管、液晶显示和光电探测等领域有着广泛的应...
- 崔敏邓金祥李廷陈亮陈仁刚高学飞王旭
- 关键词：氢化非晶硅薄膜A-SI:H椭圆偏振光谱光学参数
- 文献传递
- 沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响被引量：1
- 2015年
- 在沉积时间分别为1 h、1.5 h、2 h及2.5 h的条件下,分别用磁控溅射法制备了Zn S薄膜,用XRD、SEM、台阶仪、椭偏仪等实验仪器进行物性检测,最终发现,沉积时间越长的薄膜,晶粒越小,密度越大,折射率越大;消光系数受晶粒大小、晶界多少、孔隙率等多种因素影响,呈现复杂变化。
- 苗一鸣邓金祥段苹陈仁刚杨倩倩高红丽
- 关键词：磁控溅射法宽禁带半导体
