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郝幼申

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇性能研究
  • 1篇退火
  • 1篇热扩散
  • 1篇薄膜电阻
  • 1篇SI衬底
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇郝幼申
  • 1篇刘文超
  • 1篇夏冠群
  • 1篇王嘉宽
  • 1篇李冰寒
  • 1篇周健

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
2002年
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。
周健夏冠群刘文超李冰寒王嘉宽郝幼申
关键词：退火热扩散薄膜电阻SI衬底
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共1页<1>
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