刘文超
- 作品数：11 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究被引量：1
- 2003年
- 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究。结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10^(-4)Ω·cm^2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关。
- 刘文超李冰寒周健夏冠群
- 关键词：砷化镓欧姆接触俄歇电子能谱XRD
- 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性被引量：1
- 2005年
- 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线衍射图谱 (XRD)对接触的微观结构进行了分析 .结果表明 ,用 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料表面进行处理后 ,比接触电阻最小 ;在 70 0℃快速合金化后获得最低的比接触电阻 ,约为 4 5× 10 -6Ω·cm2 .这是由于 (NH4) 2 S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度 ,消除了费米能级钉扎效应 。
- 刘文超夏冠群李冰寒黄文奎刘延祥
- 关键词：GAAS欧姆接触钝化
- 高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管被引量：1
- 2005年
- 利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理.
- 刘文超夏冠群李冰寒黄文奎
- 关键词：双异质结双极晶体管直流特性
- AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究被引量：1
- 2003年
- 制备了大尺寸AlGaInP/GaAsSHBT和DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响AlGaInP/GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明:AlGaInP/GaAsHBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压。
- 李冰寒刘文超周健夏冠群
- 关键词：异质结双极晶体管直流特性开启电压DHBT
- FSK体制汽车避碰雷达的数据采集系统被引量：6
- 2005年
- 文章简要介绍了FSK体制汽车避碰雷达的工作原理,并对该雷达系统的测试情况进行了介绍。将我们工作中完成的中低速高精度数据采集系统进行了介绍和总结,实现了57KHz采样频率,16位采样精度,64K×8bit存储容量的数据采集系统。
- 黄文奎夏冠群刘文超
- 关键词：数据采集
- 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触
- 本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.
- 刘文超夏冠群周健李冰寒
- 关键词：难熔金属砷化镓欧姆接触半导体器件
- 文献传递
- Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
- 2002年
- 对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。
- 周健夏冠群刘文超李冰寒王嘉宽郝幼申
- 关键词：退火热扩散薄膜电阻SI衬底
- 砷化镓基高温HBT器件及其特性研究
- GaAs基HBT具有其优良的频率特性,使得它在微波及毫米波领域有着广泛的应用.同时,GaAs基HBT因其异质结构具有较大的△E<,g>,在高频功率方面有着广泛的应用前景.目前,GaAs基HBT的使用温度远未达到其理论极限...
- 刘文超
- 关键词：砷化镓异质结双极晶体管直流特性
- 文献传递
- 线性调频连续波雷达灵敏度频率控制实现被引量：2
- 2004年
- 对线性调频连续波雷达灵敏度频率控制技术的原理进行了论述 ,给出了一个实现灵敏度频率控制的电路并进行了功能仿真和分析 。
- 黄文奎夏冠群刘文超
- 关键词：雷达线性调频连续波灵敏度动态范围电路
- <'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究
- 本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与<'29>Si<'+>注入掺杂n-GaAs之间性能良好的欧姆接触.在快速合金化条件下,比接触电阻与<'29>Si<...
- 李冰寒夏冠群周健刘文超
- 关键词：欧姆接触离子注入半导体器件砷化镓
- 文献传递
