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赵要

作品数：7 被引量：5H指数：1
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子学系更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇载流子
  • 5篇热载流子
  • 3篇HALO结构
  • 3篇V
  • 2篇英文
  • 2篇热载流子效应
  • 2篇晶体管
  • 2篇可靠性
  • 2篇PMOSFE...
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电离
  • 1篇电压
  • 1篇电子注入
  • 1篇氧化层
  • 1篇直接隧穿
  • 1篇直接隧穿电流
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿电流
  • 1篇碰撞电离

机构

  • 7篇北京大学

作者

  • 7篇许铭真
  • 7篇赵要
  • 7篇谭长华
  • 5篇胡靖

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2006
  • 3篇2004
  • 2篇2003
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
在V_g=V_d/ 2应力模式下 2.5nm氧化层pMOSFETs的新寿命预测模型(英文)
2004年
研究了 2 .5 nm超薄栅短沟 p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型 .栅电流由四部分组成 :直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产生的空穴注入 .器件退化主要是由一次碰撞产生的电子和二次碰撞产生的空穴复合引起 .假设器件寿命反比于能够越过 Si- Si O2 界面势垒的二次碰撞产生的二次空穴数目 ,在此基础上提出了一个新的模型并在实验中得到验证 .
胡靖赵要许铭真谭长华
关键词：热载流子电子注入
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化被引量：1
2006年
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,栅氧化层厚度5 nm器件更强。分析结果表明,随着器件沟长继续缩短和栅氧化层减薄,由于衬底正偏置导致的阈值电压减小、增强的寄生NPN晶体管效应、沟道热电子与碰撞电离空穴复合所产生的高能光子以及热电子直接隧穿超薄栅氧化层产生的高能光子可能打断S i-S iO2界面的弱键产生界面陷阱,加速n-M O S器件线性漏电流的退化。
赵要许铭真谭长华
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管可靠性热载流子效应
不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化(英文)
2004年
研究了热载流子应力下栅厚为 2 .1nm ,栅长为 0 .135μm的 p MOSFET中 HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系 .实验发现 ,器件的退化机制对 HAL O掺杂剂量的改变不敏感 ,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着 HAL O掺杂剂量的增加而增加 .实验同时发现 ,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关 ,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关 .
赵要胡靖许铭真谭长华
关键词：热载流子PMOS器件HALO结构
MOSFET的热载流子效应及其表征技术被引量：4
2003年
　介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等,并对器件退化的表征技术进行了概述。
赵要胡靖许铭真谭长华
关键词：MOSFET热载流子效应可靠性场效应晶体管
一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型
2006年
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型.随着沟道尺寸的缩短,源/漏扩展区占据沟道的比例越来越大,源漏扩展区的影响不再可以忽略不计.文中考虑了源/漏扩展区对直接隧穿栅电流的影响,给出了适用于不同HALO掺杂剂量的超薄栅（2～4nm）短沟（0.13～0.25μm）nMOS器件的半经验直接隧穿栅电流模拟表达式.
赵要许铭真谭长华
关键词：MOS器件HALO结构直接隧穿电流
V_g=V_d/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响(英文)
2003年
讨论了最差应力模式下 (Vg=Vd/ 2 )宽沟和窄沟器件的退化特性 .随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化 .不同沟道宽度 p MOSFETs的主要退化机制是界面态产生 .沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率 .通过分析电流拥挤效应 ,阈值电压随沟道宽度的变化 ,速度饱和区特征长度的变化和 HAL O结构串联阻抗这些可能原因 ,得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的 .
胡靖赵要许铭真谭长华
HALO结构pMOSFETs在V_g=V_d/2应力模式下应力相关的热载流子退化
2004年
研究了超薄栅 (2 .5 nm )短沟 HAL O- p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性 .随着应力电压的变化 ,器件的退化特性也发生了改变 .在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命 .在高场应力下器件退化是由空穴注入或者电子与空穴复合引起的 ,随着应力电压的下降器件退化主要是由电子注入引起的 .最后 。
胡靖赵要许铭真谭长华
关键词：热载流子
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