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新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响被引量：2: 1989年; 用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量△V_(FN)随时间变化的解析表述式.分析结果表明:(d△V_(FN))/(dt)vs △V_(FN)曲线可以用几段直线描述.采用线性化技术,可以方便地识别多陷阱现象.并分别提取原生陷阱及新生陷阱参数.实验结果表明:在恒流隧道电子注入的初始阶段,F-N电压漂移量主要由新生界面陷阱的电子俘获过程所决定,紧接着是原生氧化层体陷阱的电子俘获,然后是新生氧化层体陷阱的电子俘获.; 谭长华许铭真王阳元; 关键词：氧化层

关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究: 软击穿(SBD)效应是5nm以下的SiO2主要失效模式.于是,软击穿就成为现代超薄绝缘栅集成电路的关键可靠性问题之一.本文主要研究了SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构。; 谭长华许铭真; 关键词：SIO2 软击穿; 文献传递

一种预测FLOTOX EEPROM可靠性的方法: 本文提出一种预测FLOTOX EEPROM可靠性的方法,该方法利用EEPROM擦写过程中隧道氧化层中的陷阱电荷的产生时间常数与阈值窗口开始关闭的时间成正比来预测脉冲应力电压相对较低时的阈值窗口关闭的时间,该方法与'利用脉...; 解冰许铭真谭长华; 关键词：可靠性; 文献传递

电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响被引量：1: 1991年; 本文用单陷阱电荷俘获模型研究了电场调制效应对氧化层电流弛豫谱(Oxide CurtentRelaxation Spectroscopy)——简称 OCRS的影响.给出了精确的 OCRS谱函数及其各级近似表述式;给出了确定陷阱参数(俘获截面,荷心及面密度)的精确公式及各类简化式;给出了各类近似成立的直观实验判据式.对实验结果进行了电场修正,得到了更为满意的结果.; 许铭真谭长华刘晓卫王阳元; 关键词：电场调制效应

利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量被引量：1: 2001年; 给出了一种利用 FN振荡电流的极值 ,测量电子在薄栅 MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式 .用干涉方法计算所得到的隧穿电子在不同的 MOS结构的二氧化硅介质层中的有效质量表明 :它一般在自由电子质量的 0 .5 2— 0 .84倍的范围 .实验结果表明 :电子有效质量的值不随外加电压的变化而变化 ,并且对于相同的MOS结构。; 毛凌锋谭长华许铭真; 关键词：栅氧化层 FN振荡电流场效应晶体管

超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制被引量：15: 2005年; 研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0·936eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3·15eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐渐降低.; 王彦刚许铭真谭长华段小蓉; 关键词：超薄栅氧化层 N-MOSFET 导电机制软击穿 SI/SIO2 栅电流

超薄栅介质(SiO<,2>)TDDB的非阿尔赫留斯温度特性模型: 在早期的温度加速研究中,广泛采用阿尔赫留斯(Arrhenius)方程来描述介质的时变相关击穿时间(TDDB),随着超大规模集成电路集成度的迅速增大,当SiO<,2>厚度小于7nm以后,人们发现,t<,BD>不仅与应力电压...; 许铭真谭长华何燕冬段小蓉; 关键词：超薄栅介质; 文献传递

Characteristics of Ultra-Thin Oxide pMOSFET Device After Soft Breakdown: 2003年; The degradation of MOS transistor operation due to soft breakdown of the gate oxide is studied.Important transistor parameters are monitored under homogeneous stress at different temperature until the soft breakdown occurred.The output and transfer characteristic have small change after soft breakdown as the degradations of drain current and threshold voltage is continuous.However,the increment of gate leakage current increases abruptly after the soft breakdown.The analysis to the increment of gate leakage current after the soft breakdown shows mechanism of similar Fowler Nordheim(FN) tunneling current.; 张贺秋许铭真谭长华; 关键词：MOSFET

基于MOSFET比例差值特性的器件表征方法被引量：1: 2001年; 利用比例差值方法给出了 MOS器件的一种新特性——比例差值输出特性 ,该特性具有谱峰特征 ,其峰位、峰高与器件的特征参数相关 .采用了一个分析模型来表征谱峰与器件特性参数关系 ,可以直接提取 MOS器件特征参数 .模型计算结果与实验数据保持了很好的一致性 .; 王金延许铭真谭长华; 关键词：MOSFET 场效应晶体管

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谭长华