薛志麟
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 坩埚下降法大尺寸钨酸铅晶体的制备
- 严东生殷之文廖晶莹沈炳孚邵培法童乃柱袁辉谢建军杨培志周乐平方全兴倪海洪刘光煜李培俊薛志麟熊巍展宗贵陈良朱祥宇
- 该项目设计并建造了多台能满足批量PWO晶体生长要求的多坩埚下降法晶体生长炉，一个炉次能同时生长28根大尺寸PWO晶体；通过研究杂质离子对PWO晶体闪烁性能的影响，确定了原料中的有害杂质离子，通过工艺控制，获得了高纯原料P...
- 关键词：
- 关键词：钨酸铅大尺寸
- BGO 大单晶宏观缺陷的研究被引量：6
- 1991年
- 应用光学显微镜、扫描电镜、电子探针、X 光衍射分析、原子吸收分光光度计等,对 BGO 大单晶生长中最常出现并严重影响晶体光学质量的宏观缺陷进行了研究。观察表明,晶体生长过程中,随生长条件的变化,这些宏观缺陷的形貌特征是不同的。本文对这些宏观缺陷的形成机理和克服方法进行了探讨,并在实践中得到良好效果。
- 殷之文薛志麟胡关钦谢幼玉苏伟堂王效仙古佩新张仲猷
- 关键词：锗酸铋晶体晶体生长BGO
- 可控硅温度控制系统的控温精度研究
- 1991年
- 研究了小滞后情况下可控硅控温系统中干扰对炉温波动的影响,导出了炉温波动的数学表达式,分析了炉温波动与系统参数间的关系,并与实验结果进行了比较,为进一步提高系统的控温精度提供了理论依据.
- 路治平薛志麟
- 关键词：可控硅温度控制系统
- BGO∶TR(TR=Nd,Er),Cr,Fe晶体的吸收光谱和发光光谱被引量：2
- 1990年
- 在化学计量的Bi_2O_3(5N)和 GeO_2(6N)的配料里,加入0.01wt%Nd_2O_3,0.01wt%Er_2O_3,0.02wt%Cr_2O_3或0.02wt%Fe_2O_3,用 Bridgman 方法生长 Bi_4Ge_3O_(12)掺杂晶体。给出 eulytite 的结构投影和 BGO 晶体的点阵常数。掺杂稀土 BGO 晶体的室温吸收光谱由稀土离子所特有的几个吸收带所组成。采用3d^3电子的能量久期方程计算 O_h 场下掺 Cr^(3+)BGO 的库仑相互作用参数和内晶体场参数,其吸收光谱是由基态~4A_2到~2E,~4T_2和~4T_1跃迁的三个带组成。以300nm 激发观察到纯锗酸铋强的宽带发光,其峰值位置在498和550nm。这种发射被认为是 Bi^(3+)的~3P_1→~1S_0跃迁。由于存在大的 Stokes 迁移,Bi^(3+)系统猝灭心受到阻止。另外,由于~3P-~1S 能级差别大,使多声子过程中的非辐射衰减亦受到限制。通过接收498nm 发射波长,测量纯 BGO 室温激发光谱,其峰值位置在250、272和285nm,这和 M.J.Weber 测定的吸收收和反射光谱的结果基本一致。按不同波长范围分别采用光电倍增管和 PbS 接收,测量了 BGO 掺 Nd^(3+)的~4F_(3/2)→~4I_(11/2),~4I_(13/2)跃迁;掺 Er^(3+)的~4I_(13/2)→~4I_(15/2)跃迁的荧光光谱。强的荧光发射以及发射带宽界于 YAG和玻璃之间,表明掺杂稀土的 BGO 晶体是一类有希望的激光材料。
- 刘建成胡关钦冯锡淇赵元龙王效仙薛志麟殷之文
- 关键词：BGO光谱
- 立方氮化硼晶体生长形态的研究
- 1992年
- 本文研究了超高压高温条件下生长的立方氮化硼(cBN)晶体的结晶形态。实验发现在我们的条件下生长的规则形状的 cBN 单晶多为正四面体和负四面体组成的聚形,该晶体一般具有两组大小不同的{111}晶面。本文将晶体的极性生长效应应用到具有部分离子性的 cBN 晶体上,解释了“N”表面和“B”表面具有不同生长速度的现象。同时,根据二维成核生长理论和凹入角生长机制初步解释了低温生长时 cBN 晶体常出现的厚板状“尖晶石律”双晶。
- 郑汉书李达明刘光照薛志麟
- 关键词：氮化硼晶体
