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张仲猷

作品数：7 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇陶瓷
  • 5篇压电
  • 5篇压电陶瓷
  • 5篇压电陶瓷材料
  • 5篇陶瓷材料
  • 3篇压电系数
  • 3篇品质因数
  • 3篇机械品质因数
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇介电
  • 2篇介电常数
  • 2篇工艺基础
  • 2篇干压成型
  • 2篇高介电常数
  • 2篇高灵敏
  • 2篇高灵敏度
  • 2篇高温
  • 2篇成像
  • 2篇成像检测

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇张仲猷
  • 5篇董显林
  • 3篇张文斌
  • 2篇朱怀志
  • 2篇姚烈
  • 2篇李玉臣
  • 1篇谢幼玉
  • 1篇薛志麟
  • 1篇石南云
  • 1篇黄校先
  • 1篇李武根
  • 1篇王荣华
  • 1篇胡关钦
  • 1篇殷之文
  • 1篇王长宏
  • 1篇严仁灿
  • 1篇姜有生
  • 1篇归林华
  • 1篇张玉峰
  • 1篇李包顺

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2002
  • 1篇1991
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法，属陶瓷组成与制备领域。本发明的其组成式为：xPbZrO<Sub>3</Sub>+yPbTiO<Sub>3</Sub>+zPbNbO<Sub>3</Sub>+mSrTiO...
李玉臣姚烈朱怀志董显林张仲猷
文献传递
BGO 大单晶宏观缺陷的研究被引量：6
1991年
应用光学显微镜、扫描电镜、电子探针、X 光衍射分析、原子吸收分光光度计等,对 BGO 大单晶生长中最常出现并严重影响晶体光学质量的宏观缺陷进行了研究。观察表明,晶体生长过程中,随生长条件的变化,这些宏观缺陷的形貌特征是不同的。本文对这些宏观缺陷的形成机理和克服方法进行了探讨,并在实践中得到良好效果。
殷之文薛志麟胡关钦谢幼玉苏伟堂王效仙古佩新张仲猷
关键词：锗酸铋晶体晶体生长BGO
一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种晶粒细小、高介电常数的压电陶瓷材料及其制备方法，所述材料的配方组成为：Pb<Sub>1-m</Sub>Sr<Sub>m</Sub>(Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)<Sub...
张文斌张仲猷董显林
文献传递
高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法，属陶瓷组成与制备领域。本发明的其组成式为：xPbZrO<Sub>3</Sub>+yPbTiO<Sub>3</Sub>+zPbNbO<Sub>3</Sub>+mSrTiO...
李玉臣姚烈朱怀志董显林张仲猷
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高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器件制造领域。本发明基本化学组成为xPbTiO<Sub>3</Sub>+yPbZrO<Sub>3</Sub>+zBaTiO<Sub>3</Sub>+wSrTi...
张文斌张仲猷董显林
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一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种晶粒细小、高介电常数的压电陶瓷材料及其制备方法，所述材料的配方组成为：Pb<Sub>1－m</Sub>Sr<Sub>m</Sub> (Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)<Su...
张文斌张仲猷董显林
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无磁调试工具的研究与开发
李包顺黄校先归林华王荣华石南云李武根张仲猷姜有生严仁灿王长宏张玉峰洪金生等
该成果研究了无磁调式工具用的含氧化钇的氧化锆相变增韧陶瓷材料（Y-TZP）的制备工艺和陶瓷加工等工艺，并已建成了中试生产线。Y-TZ粉体用湿化学方法制备，其工艺已推广到工厂使用。Y-TZ材料采用热压和无压两种烧结工艺制造...
关键词：
关键词：氧化锆陶瓷加工
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