范昭奇
- 作品数：10 被引量：41H指数：4
- 供职机构：大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>
- 基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件被引量：10
- 2010年
- 制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DCJTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输。
- 范昭奇程传辉申人升李万成王瑾白青龙夏道成杜国同
- 关键词：酞菁
- 用椭圆偏振光谱法研究取代基对酞菁薄膜光学常数的影响
- 2009年
- 利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁（F16CuPc）和铜酞菁（CuPc）薄膜的光学性质.在248-1 650 nm使用逐点拟合的方法对测得椭偏光谱进行分析,获得两种薄膜的折射率、消光系数、复介电常数和吸收系数.讨论了外环氟取代基对酞菁光学性质的影响,结果表明,共轭酞菁大环上的外围取代基对薄膜的响应波长和非正常色散影响较大.分析了两种酞菁的电子结构及吸收谱成因,并由吸收边外推得到两种材料的光学禁带宽度（Eg）.
- 于书坤范昭奇夏道成程传辉白青龙杜国同
- 关键词：光学常数椭偏光谱取代基介电常数
- 基于酞菁的有机近红外电致发光器件的初步研究
- 本论文的主要工作是利用已有的材料和自己设计合成的材料，制作了有机近红外电致发光器件。 我们利用CuPc为发光材料，制备了不掺杂的器件，结构为ITO／NPB／CuPc／BCP／Alq／Al和ITO／NPB／CuPc／Alq...
- 范昭奇
- 关键词：近红外电致发光器件酞菁
- 文献传递
- 基于酞菁的有机近红外发光器件与太阳能电池
- 范昭奇
- 关键词：酞菁有机电致发光器件近红外有机太阳能电池
- 文献传递
- α(β)-四-苯氧基金属酞菁的合成、表征和光谱性质被引量：2
- 2010年
- 以3-硝基邻苯二腈和4-硝基邻苯二腈为原料分别合成了1,8,15,22-四-苯氧基酞菁铜(镍)和2,9,16,23-四-苯氧基酞菁铜(镍),通过IR和UV-Vis光谱进行了表征,并讨论了取代基的取代位置和中心离子对酞菁Q带最大吸收波长的影响。
- 白青龙张春花程传辉夏道成范昭奇杜国同
- 关键词：光谱性质
- 酞菁及类酞菁的结构与紫外可见光谱研究被引量：13
- 2010年
- 介绍了酞菁、亚酞菁和超酞菁的典型结构及其吸收光谱,分别介绍了酞菁和亚酞菁的衍生物、缩合物的结构与最大吸收波长之间的关系以及它们潜在的应用前景,同时分析讨论了几种扩展的酞菁类似物的结构特点和它们吸收性能差的原因。
- 白青龙张春花夏道成程传辉范昭奇杜国同
- 关键词：酞菁紫外光谱
- 溶剂热法直接合成酞菁铜晶体被引量：6
- 2008年
- 以喹啉为溶剂,在反应釜中将1,3-二异吲哚、钼酸铵和二水乙酸铜在喹啉中反应,降至室温后得到长10.5mm针状的酞菁铜单晶,最佳的反应条件:以10mL喹啉为溶剂,于270℃反应8h,产率为51.3%.
- 夏道成于书坤马春雨程传辉郭振强纪冬梅范昭奇杜锡光王旭杜国同
- 关键词：溶剂热合成酞菁铜单晶喹啉
- 2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)酞菁铜的合成、光特性及电化学性质被引量：4
- 2008年
- 利用分步合成方法在酞菁铜外围引入4个2-异丙基-5-甲基苯氧基团,合成一种酞菁铜,经过表征确定了化合物结构.分析结果表明,此化合物在低温近红外1180 nm左右有较强的光磷光发光,可作为潜在的近红外发光材料.电化学的研究结果表明,这种化合物的电化学过程是环上氧化还原的单电子过程.
- 何为马春雨程传辉于书坤范昭奇夏道成杜锡光杜国同
- 关键词：酞菁铜苯氧基光致发光电化学光谱电化学
