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1^1,8（11）,15（18）,22（25）-四苯氧基金属酞菁的合成与表征被引量：1: 2008年; 以3-硝基邻苯二腈为前体制备了四苯氧基取代的金属酞菁6-9,对合成化合物进行了质谱、氢核磁、元素分析、红外及紫外可见光谱表征,表征结果证明了它们的分子结构.这些酞菁在有机溶剂中具有很好的溶解性.由于酞菁外围的苯氧基取代基能在一定程度上减弱酞菁的聚合效应,它们不易聚合.产物7和9在极性较小的溶剂（如C6H6和CHCl3）中的紫外吸收光谱与其在极性较大的溶剂（如THF和DMF）中的紫外吸收光谱相比,在740 nm左右多了一个额外的吸收峰,这种现象是不多见的.; 夏道成马春雨程传辉于书坤常玉春杜国同; 关键词：金属酞菁

新型酞菁的光致发光性质研究被引量：1: 2008年; 研究了2,3-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200nm厚)在300K下光致发光光谱。氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300K下出现了1 673nm激基缔合物峰。该峰的出现与分子抗聚集能力的强弱有关,在300K激基缔合物峰比在177K下的峰强,从氢酞菁分子结构特点讨论了形成激基缔合物的原因。随着温度的升高,可以观察到荧光发射峰渐渐减弱而激基缔合物峰变强。由于浇铸膜和真空镀膜的酞菁分子聚集态不同导致了斯托克司位移的差异,真空镀膜的发光峰峰值在1140nm左右,与酞菁浇铸膜的峰值差别较大。浇铸膜的发光峰的半高宽为300nm,而真空镀膜发光峰的半高宽为100nm左右。; 夏道成高福斌马春雨于书坤纪冬梅杜锡光杜国同; 关键词：真空镀膜

2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)钛氧酞菁的合成及其近红外发光特性被引量：3: 2008年; 通过分步合成的方法,在钛氧酞菁的外围引入了四个苯氧基团,合成了一种2(3)-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)钛氧酞菁。通过质谱、核磁、元素分析、紫外可见吸收光谱、近红外光荧光谱和循环伏安法对其结构和性质进行了表征,并利用旋涂加真空热蒸发的方法制得了该材料的电致发光器件(ITO/PVK∶TiOPc/BCP/LiF/Al)。结果表明,四取代的钛氧酞菁固态的近红外光荧光峰值在1 080 nm左右;其近红外电致发光的峰值波长落在1 050 nm左右。在PVK掺杂的器件中,钛氧酞菁的质量分数为30%时有较强的发光强度。; 何为程传辉于书坤杜锡光杜国同; 关键词：近红外有机发光器件

用椭圆偏振光谱法研究取代基对酞菁薄膜光学常数的影响: 2009年; 利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁（F16CuPc）和铜酞菁（CuPc）薄膜的光学性质.在248-1 650 nm使用逐点拟合的方法对测得椭偏光谱进行分析,获得两种薄膜的折射率、消光系数、复介电常数和吸收系数.讨论了外环氟取代基对酞菁光学性质的影响,结果表明,共轭酞菁大环上的外围取代基对薄膜的响应波长和非正常色散影响较大.分析了两种酞菁的电子结构及吸收谱成因,并由吸收边外推得到两种材料的光学禁带宽度（Eg）.; 于书坤范昭奇夏道成程传辉白青龙杜国同; 关键词：光学常数椭偏光谱取代基介电常数

酞菁氧钛薄膜光学常数的测量研究被引量：4: 2008年; 使用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪,对在单晶硅片上真空蒸镀的酞菁氧钛(TiOPc)薄膜的光学性质进行了研究。在248～1650nm(0.75～5ev)的范围内分别使用柯西模型、逐点拟合模型、洛伦兹模型和高斯模型对测得的椭偏光谱进行拟合分析,获得了TiOPc薄膜的折射率、消光系数和复介电常数。通过比较,我们发现高斯模型拟合的均方差较小,拟合数据和测试数据重合度好,而且拟合得到的光学常数的图线光滑连续,因此认为高斯模型最适用于描述TiOPc薄膜的光学性质。由高斯模型拟合所得的消光系数推出了TiOPc薄膜的吸收谱,结果发现TiOPc薄膜在紫外可见近红外区有一系列的吸收峰,分析了其电子结构及吸收谱成因,并由吸收谱推算了其光学禁带宽度。; 于书坤夏道成高强李万程程传辉何为杜国同; 关键词：光学常数椭偏光谱酞菁氧钛介电常数

提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法: 提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法，属于有机材料的单晶生长方法技术领域。本发明所设计的设备由晶体生长管(1)、生长炉(2)、热电偶(3)、数字控温仪(4)构成，晶体生长管(1)放置在生长炉(2)内由推杆(6)推动...; 杜国同姜文海王旭常玉春马春雨于书坤; 文献传递

氮杂酞菁铜aza-CuPc的合成与晶体结构被引量：1: 2006年; The azaanalog of copper phthalocyanine（azaCuPc） complex C 24H 8CuN 16 was prepared by the so- lid phase synthesis technology and its single crystals was characterized by high power Xray from the synchrotron radiation. The crystal belongs to monoclinic system, space group P21/n with a=1.612 3（3） nm, b= 0.529 40（11） nm, c=1.906 4（4） nm, β=105.25（3）°, V=1.569 9（5） nm, Z=2, Mr=584.00, Dc=1.235 g/cm3, F（000）=586, the final R=0.063 1 and wR=0.153 9 for 757 observed reflections with I>2σ（I）, GOF=1.340.; 姜文海王旭马春雨于书坤叶开其常玉春杜国同; 关键词：固相法合成晶体结构

提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备: 提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备，属于有机材料的单晶生长技术领域。本发明所设计的设备由晶体生长管(1)、生长炉(2)、热电偶(3)、数字控温仪(4)构成，晶体生长管(1)放置在生长炉(2)内由推杆(6)推动的可移动底...; 杜国同姜文海王旭常玉春马春雨于书坤; 文献传递

溶剂热法直接合成酞菁铜晶体被引量：6: 2008年; 以喹啉为溶剂,在反应釜中将1,3-二异吲哚、钼酸铵和二水乙酸铜在喹啉中反应,降至室温后得到长10.5mm针状的酞菁铜单晶,最佳的反应条件:以10mL喹啉为溶剂,于270℃反应8h,产率为51.3%.; 夏道成于书坤马春雨程传辉郭振强纪冬梅范昭奇杜锡光王旭杜国同; 关键词：溶剂热合成酞菁铜单晶喹啉

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于书坤