程秀凤
- 作品数：92 被引量：92H指数：5
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 一水甲酸锂单晶生长和(110)面边界层的全息研究被引量：1
- 2003年
- 本文合成一水甲酸锂原料 ,选择适宜生长条件 ,用水溶液法培育出完美一水甲酸锂单晶 (LFM)。利用全息相衬干涉显微术对 (110 )面边界层特性进行实时观测和研究。实验表明 ,在自然对流情况下 ,边界层内折射率梯度分布函数Δn(x)和浓度分布函数Cx(x)为指数形式 ;另外 ,体过饱和度与晶面过饱和度之间呈指数关系。
- 苏静于锡玲殷绍唐孙大亮程秀凤王坤鹏
- 关键词：单晶生长边界层
- 两种有机化合物DMAHAS和DMANHAS的合成、表征和非线性光学性质被引量：1
- 2003年
- 合成了两个有机化合物:反式 4 (N 羟乙基 N 乙基胺基) 4′ (二甲基胺基)二苯乙烯(简称DMAHAS)和反式 4 [N (乙基4″ 硝基苯甲酰基) N 乙基胺基] 4′ (二甲基胺基)二苯乙烯(简称DMANHAS)。用核磁、红外光谱以及元素分析进行了表征。测试了紫外吸收光谱、单光子荧光光谱和双光子荧光光谱。在800nm的飞秒脉冲激光的激发下,DMAHAS发出较强的蓝紫色上转换荧光,荧光峰位于430nm。而在相同条件下DMANHAS的荧光淬灭。
- 延云兴王东程秀凤任燕赵显方奇蒋民华
- 关键词：有机化合物非线性光学性质
- 杂质对KDP晶体光学质量的影响被引量：11
- 2004年
- 研究了几类可能出现在KDP晶体的生长溶液中的有机物杂质和无机阴离子杂质基团对KDP晶体散射、透过率、光损伤阈值等光学质量的影响,结果表明,不同种类的杂质的影响并不相同,造成这一结果的根本原因在于杂质离子的结构及其与晶体表面原子成键能力的不同。
- 孙洵程秀凤王正平顾庆天王圣来李毅平李云南王波许心光房昌水
- 关键词：KDP晶体
- 压电晶体YbBa_(3)(PO_(4))_(3)的生长与性质表征被引量：2
- 2021年
- 压电材料在振动传感器、压力传感器和超声波压电换能器等器件技术领域有着广泛应用,探索新型压电晶体材料用于特种压电传感器件的研发具有重要意义。本文利用传统的提拉法生长出具有高熔点(~1800℃)的磷酸钡镱(YbBa_(3)(PO_(4))_(3),YbBP)新型压电晶体。X射线衍射分析表明,该晶体属于立方晶系I 43d空间群,晶胞参数为a=b=c=1.0435 nm。研究发现,该晶体沿垂直于(013)晶面的方向更容易生长。摇摆曲线半峰全宽测得为60.6″,表明生长的晶体具有较高的结晶品质。采用LCR电桥法、阻抗法和超声法测算了该晶体的相对介电常数和压电应变常数,得到晶体的相对介电常数ε11和压电应变常数d14分别为15.3和11.4 pC/N。该晶体不仅具有较好的压电性能,同时具有纯的面切变振动模态,表明该晶体在压电传感技术领域具有潜在应用。
- 武广达樊梦迪杜月浩姚贵腾苗鸿臣程秀凤于法鹏赵显
- 关键词：提拉法压电性能
- 一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用
- 本发明属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用。本发明提供了一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型，切型为YXl/θ，200°≤θ≤250°。本发明针对铌酸锂晶体纵向伸缩振动模...
- 于法鹏王国良刘学良程秀凤赵显
- 光电功能晶体M<Sub>3</Sub>RE(PO<Sub>4</Sub>)<Sub>3</Sub>及其制备方法
- 本发明涉及光电功能晶体M<Sub>3</Sub>RE(PO<Sub>4</Sub>)<Sub>3</Sub>及其制备方法。所述M<Sub>3</Sub>RE(PO<Sub>4</Sub>)<Sub>3</Sub>晶体为非...
- 于法鹏武广达樊梦迪李芳林程秀凤赵显
- 文献传递
- 钨酸锌/碘氧化铋异质结可见光光催化材料及其制备方法
- 本发明属于新材料领域，涉及钨酸锌/碘氧化铋异质结可见光光催化材料及其制备方法。本发明由钨酸锌和碘氧化铋构成，组分中碘氧化铋的摩尔比为25%～50%。其制备方法是：将乙酸锌和钨酸钠分别溶解在去离子水中，然后将钨酸钠溶液加入...
- 樊唯镏李盼赵兴邦程秀凤
- 文献传递
- Ba2TiSi2O8(BTS)晶体生长及压电性能研究
- 硅酸钛钡Ba2TiSi2O8(BTS)属四方晶系,4mm点群,室温到熔点1450oC无结构相变,成本低廉,压电系数d15=18pC/N,在高温压电传感领域具有潜在的应用。本文通过提拉法生长了高质量的BTS单晶,对所得晶体...
- 姜超陈菲菲田世伟程秀凤于法鹏赵显
- 关键词：晶体生长
- 磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用
- 本发明涉及磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用。磷酸钇锶晶体的化学式为Sr<Sub>3</Sub>Y(PO<Sub>4</Sub>)<Sub>3</Sub>，该晶体为非中心对称结构，属于立方晶系‑43m点群。所述的磷酸钇锶晶体...
- 于法鹏武广达李芳林樊梦迪李妍璐程秀凤赵显
- 一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法
- 本发明涉及一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法。该装置包括：壳体和顶盖，顶盖内设带布气管的气体喷头，使进入的高纯气体均匀分布进入反应腔体；反应腔体由密封石英管、插接在两段密封石英管中间的石墨发热体、放置在石墨发热体...
- 赵显于法鹏许士才程秀凤孙丽杨志远陈秀芳
