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李妍璐

作品数：28 被引量：1H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：山东省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 16篇石墨
  • 16篇石墨烯
  • 5篇晶体
  • 4篇单晶
  • 4篇压电
  • 4篇易剥离
  • 4篇载流
  • 4篇气相沉积
  • 4篇自由态
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇衬底
  • 3篇籽晶
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇单晶生长
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇导体

机构

  • 28篇山东大学

作者

  • 28篇李妍璐
  • 26篇赵显
  • 24篇于法鹏
  • 19篇孙丽
  • 14篇张雪
  • 12篇程秀凤
  • 12篇王鹏
  • 4篇陈秀芳
  • 2篇姜超
  • 2篇徐现刚
  • 2篇刘振兴
  • 2篇杨志远
  • 2篇张晶
  • 1篇王国良

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 8篇2022
  • 7篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2011
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种稀土磷酸盐晶体压电切型及其在高温传感领域中的应用
本发明涉及一种稀土磷酸盐晶体的压电切型及其在高温传感领域中的应用，所述稀土磷酸盐晶体的压电切型兼具高压电活性和低串扰响应特征，同时具有良好的温度稳定性，有利于提高压电传感器件的灵敏度。本发明的压电加速度传感器在25‑65...
于法鹏武广达樊梦迪刘学良李妍璐程秀凤赵显
一种利用硫束流解耦技术制备易剥离近自由态石墨烯的方法
本发明涉及一种利用硫束流解耦技术制备易剥离近自由态石墨烯的方法，本发明的方法在传统CVD制备石墨烯方法的基础上，采用双温区CVD管式炉进行，在管式炉的低温区放置硫源使硫蒸发以提供硫束流，通过控制反应温度和反应时间，使高温...
李妍璐孙秀彩张雪国星孙丽程秀凤于法鹏赵显
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一种预处理SiC衬底外延制备石墨烯及石墨烯器件的方法
本发明涉及一种预处理SiC衬底外延制备石墨烯及石墨烯器件的方法。包括步骤：将SiC衬底进行氢刻蚀，然后对氢刻蚀之后的SiC衬底进行氧化处理，温度800～1300℃，处理时间15～120min；然后于惰性气氛下，在预处理后...
孙丽于法鹏刘振兴李妍璐程秀凤陈秀芳赵显
文献传递
一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法
本发明涉及一种以六方氮化硼为点籽晶在衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴的方法，该方法以氮化硼作为点籽晶生长石墨烯，有利于与石墨烯形成异质结，石墨烯沿着氮化硼籽晶的外沿继续原位生长，控制六方氮化硼溶液的浓度，确保石墨烯的成核密度，...
于法鹏张晶杨志远孙丽李妍璐程秀凤赵显
一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法
本发明属于二维材料的制备技术领域，具体涉及一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法，包括：将衬底置于反应炉腔内进行真空清洗；然后，通入载流气体，调节炉腔压强为低压，升温至前驱体分解温度；接着，通入反应气体，保持腔体...
孙丽王鹏张雪国星于法鹏李妍璐赵显
基于非溶剂体系去除石墨烯表面PMMA层的方法
本发明公开了基于非溶剂体系去除石墨烯表面PMMA层的方法，属于石墨烯转移技术领域，包括：将PMMA/石墨烯/无机非金属衬底置于含有非无机盐类固态干燥剂的封闭体系内静置；将干燥后的PMMA/石墨烯/无机非金属衬底置于带有吸...
于法鹏国星张雪王鹏孙丽李妍璐赵显
一种基于化学气相沉积制备大尺寸单晶二维材料的方法
本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种基于化学气相沉积制备大尺寸单晶二维材料的方法。所述方法为：采用载气A和载气B混合作为载流气体，先通过设定载气A和载气B的比例构造出近平微凸温场，再调整二者的比例构造出平温场，经过化...
赵显孙丽王鹏国星张雪李妍璐于法鹏
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磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用
本发明涉及磷酸钇锶晶体及其制备方法与应用。磷酸钇锶晶体的化学式为Sr<Sub>3</Sub>Y(PO<Sub>4</Sub>)<Sub>3</Sub>，该晶体为非中心对称结构，属于立方晶系‑43m点群。所述的磷酸钇锶晶体...
于法鹏武广达李芳林樊梦迪李妍璐程秀凤赵显
基于Cu<Sub>2</Sub>O介质层生长单层单晶石墨烯的方法
本发明涉及一种基于Cu<Sub>2</Sub>O介质层生长单层单晶石墨烯的方法，该方法将铜箔经预氧化和氢气处理后，在表面制备出一层薄Cu<Sub>2</Sub>O介质层，再以Cu<Sub>2</Sub>O介质层为基底进行...
于法鹏张雪国星孙丽王鹏李妍璐赵显
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一种易剥离近自由态石墨烯及其制备方法和应用
本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种易剥离近自由态石墨烯及其制备方法和应用。本发明首先通过控制工艺选择性制备具有不同指数面的金属衬底，并以此为衬底经过化学气相沉积生长石墨烯薄膜，生长完成后进行后处理，通过调控后处理的...
孙丽王鹏张雪国星李妍璐程秀凤于法鹏赵显
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