王正鸣
- 作品数：25 被引量：31H指数：4
- 供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 100A/1200V 方片 GTR 的研制被引量：2
- 1997年
- 通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降、电流增益、开关时间之间的矛盾。在典型的电力半导体器件工艺条件下，开发出了一种类台面方片高压隔离终端，提高了生产成品率，形成了国产化的低成本ＧＴＲ方片制造技术。
- 王正鸣李建华王彩琳刘东莉
- 关键词：晶体管电力晶体管结终端
- 弥漫式恒压气体携带杂质源扩散工艺管
- 本发明涉及一种对半导体芯片实施高质量开管掺杂的弥漫式恒压气体携带杂质源扩散工艺管，包括管身和管口盖，管身包括外套、内衬和舟撑。本发明高温掺杂工艺过程中由舟撑支撑载片舟而无需舟铲存在于恒温区，管口盖保热性提高、管口管尾分别...
- 王正鸣刘东
- 文献传递
- 双向阻断晶闸管正反向对称P型径向变掺杂结构
- 本实用新型涉及一种双向阻断晶闸管正反向对称P型径向变掺杂结构，较高浓度P型掺杂层在低浓度P-型掺杂层上形成的高低结为非平行平面结，其结面产生弯曲变化避免较高浓度P型杂质进入双负角造型结终端区，本实用新型具有双面减薄P-区...
- 王正鸣高建峰高山城刘惠玲刘东
- 文献传递
- 最新特高压晶闸管被引量：5
- 2016年
- 研究使晶闸管有效面积比极大化的阴极图形及结终端结构设计和工艺技术,实质性提高特高压(UH-V)晶闸管综合性能参数水平,易于折中协调突出重点性能参数。研制成6.3 kA/7.5 kV及5.5 kA/8.5 kV最新UHV晶闸管,可完全满足最新+800 kV,6.25 kA,10 GW及±1 100 kV,5.5 kA,12.1 GW换流阀的应用要求。
- 王正鸣陈黄鹂
- 关键词：晶闸管结终端
- 特高压晶闸管的设计
- 在当前硅材料的直径、电阻率及其径向分布均匀性的最高水平基础上，提出运用以表面反型为判据的低浓度掺杂分布、电压片厚比、长基区临界薄、P型径向变掺杂等措施设计制造具有最大电流、最高电压参数组合的晶闸管。将特高电压与大电流及其...
- 王正鸣陆剑秋
- 关键词：结终端欧姆接触
- 文献传递
- ZK1150-45型快恢复二极管
- 王正鸣刘东丽郭永忠薛斌石宏高山城吴涛刘东吴飞鸟
- ZK1150-45型快恢复二极管属于高电压、大电流电力半导体器件。针对此快恢复二极管对电流、电压及反向恢复时间同时要求较高，采用PIN型设计。对双角度造型终端PIN型快恢复二极管的工作模式进行了深入细致的研究，指出减小漏...
- 关键词：
- 关键词：电力半导体器件
- 质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性
- 采用3.7MeV～5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制。对质子辐照在器件中的缺陷深度进行了TRIM模拟。对通态电压Vra和关断时问tq的折衷关系进行了研究,确定了最佳的质子辐照能量...
- 张昌利金银东金相哲宋根浩金南均王正鸣陆剑秋张建平李建华朱佳政杨丙凡胡选文
- 关键词：晶闸管少子寿命质子辐照
- 文献传递
- 特高压大功率光控晶闸管
- 王正鸣陆剑秋陈烨
- 该项目成功研制3125A/8000V灵敏光触发-开通功率均布-过压自保护新型光控晶闸管及批量生产技术。产品是世界上容量最大的集成安全开通及过压保护光控晶闸管，技术达到国际先进水平，对中国智能电网建设，对陕西省输配电装备制...
- 关键词：
- 关键词：光控晶闸管智能电网建设
- 6300A/7200V特高压晶闸管
- 研究一种阻断结杂质浓度梯度反型低、中心对称径向变化的P型掺杂分布,形成一条同时提高负角类终端晶闸管di/dt、dv/dt,转折电压及通流能力的新途径.进而制造了全世界首只6300A、7200V最大功率晶闸管.该晶闸管综合...
- 王正鸣李玉玲罗艳红刘东
- 关键词：高压晶闸管
- 文献传递
- 高压直流输电重大技术装备研制
- 宓传龙陆剑秋姚致清毛庆传苟锐锋班建郑军王健方晓燕卢有盟周登洪汪德华姚为正钟俊涛朱斌李文平刘桂雪帅远明王正鸣张望季世泽李侠陈荣郭宏光高敏华赵静月王明新王平左强林张欣维贾东旭李强马骏张建徐睿
- 该项目研究主要包括高压直流输电成套设备技术开发、设备研制、试验能力和技术规范、标准制订、关键技术研究及应用等。高压直流输电成套设备技术属于国际电工行业的前沿技术，研究和应用该技术，对中国直流输电成套设备技术升级，打破国外...
- 关键词：
- 关键词：高压直流工程
