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高山城

作品数:12 被引量:7H指数:2
供职机构:西安电力电子技术研究所更多>>
发文基金:国家科技支撑计划国家科技部专项基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 1篇专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇晶闸管
  • 4篇特高压
  • 4篇阻断电压
  • 3篇通态压降
  • 3篇快速晶闸管
  • 2篇电力半导体
  • 2篇电力半导体器...
  • 2篇直流
  • 2篇直流输电
  • 2篇输电
  • 2篇特高压直流
  • 2篇特高压直流输...
  • 2篇通流能力
  • 2篇高压直流
  • 2篇高压直流输电
  • 2篇光控
  • 2篇光控晶闸管
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇掺杂

机构

  • 12篇西安电力电子...

作者

  • 12篇高山城
  • 6篇刘东
  • 4篇李玉玲
  • 4篇吴涛
  • 4篇郭永忠
  • 3篇王正鸣
  • 3篇罗艳红
  • 3篇薛斌
  • 3篇石宏
  • 3篇高飞
  • 2篇高建峰
  • 2篇王睿韬
  • 2篇耿涛
  • 2篇赵卫
  • 1篇张琦
  • 1篇刘惠玲
  • 1篇刘东丽
  • 1篇马艳
  • 1篇赵涛
  • 1篇袁渊

传媒

  • 3篇价值工程
  • 3篇半导体技术
  • 2篇电力电子技术

年份

  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 3篇2005
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
特高压晶闸管p^-层穿通和p^+层发射极结构设计被引量:2
2014年
基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A。对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11 V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中。
高山城罗艳红张婷婷赵卫高飞李翀
关键词:阻断电压通流能力通态压降关断时间
双向阻断晶闸管正反向对称P型径向变掺杂结构
本实用新型涉及一种双向阻断晶闸管正反向对称P型径向变掺杂结构,较高浓度P型掺杂层在低浓度P-型掺杂层上形成的高低结为非平行平面结,其结面产生弯曲变化避免较高浓度P型杂质进入双负角造型结终端区,本实用新型具有双面减薄P-区...
王正鸣高建峰高山城刘惠玲刘东
文献传递
特高压晶闸管掺杂技术研究
2014年
特高压晶闸管半导体芯片主要通过掺杂技术形成。高均匀性、高寿命掺杂技术是获得高品质特高压晶闸管的根本保证。本文通过一系列大胆的创新方法和先进"6σ设计[1]"的控制措施,成功研制了世界上首只6英寸4000A/8000V特高压晶闸管,并成功应用于"向家坝-上海±800KV/6400MW"特高压直流输电示范工程中。
高山城罗艳红张琦吴飞鸟高飞
关键词:晶闸管特高压直流输电
4in超大功率快速晶闸管
王正呜郭永忠薛斌高山城石宏吴飞鸟刘东耿涛王睿韬
该项目直接来源于市场。为使中频电力逆变电源、斩波电源、变频调速电源等大型电力电了装置更新换代,研制了4in超大功率快速晶闸管的制造工艺。4in超大功率快速晶闸管的技术特点:其版图、工艺及结构参数设计充分考虑横向扩散及结终...
关键词:
关键词:超大功率快速晶闸管
ZK1150-45型快恢复二极管
王正鸣刘东丽郭永忠薛斌石宏高山城吴涛刘东吴飞鸟
ZK1150-45型快恢复二极管属于高电压、大电流电力半导体器件。针对此快恢复二极管对电流、电压及反向恢复时间同时要求较高,采用PIN型设计。对双角度造型终端PIN型快恢复二极管的工作模式进行了深入细致的研究,指出减小漏...
关键词:
关键词:电力半导体器件
Φ100快速晶闸管的研制被引量:5
2005年
通过计算机模拟运算,分析了低浓度短基区、缓变杂质分布阻断结和临界长基区等优化设计方案,最大限度地对阻断电压、通态压降和关断时间等矛盾参数进行了协调,成功地研制了Φ1002800V,3500A快速晶闸管。
高山城郭永忠吴涛李玉玲
关键词:晶闸管
ZP6000A/8500V整流管的研制
2014年
本文针对PIN型整流管模型,全面优化了整流管设计制造过程,成功研制了世界上先进的ZP6000A/8500V特高压整流管。
高山城李玉玲刘东马艳
关键词:整流管阻断电压通态压降通流能力反向恢复时间
4英寸超大功率快速晶闸管
王正鸣薛斌郭永忠石宏高山城吴飞鸟耿涛王睿韬刘东吴涛李玉玲
该项目来源于市场,是根据市场的需求情况本所自行设立的横向研究课题。超大功率快速晶闸管主要应用于钢、铁及其它溶炼用大型电炉的中频电源装置,是提高KGPS系列中频熔炼电源装置输出功率的关键器件,成功地将该系列产品单台输出功率...
关键词:
关键词:快速晶闸管中频电源电力半导体器件
3125A/7600V光控晶闸管的研制
2014年
本文详细分析了光控晶闸管设计原理。通过对特殊的门极结构和工艺设计,成功研制了在器件内部集成了光触发功能区、内部过压保护器、内置保护电阻,使其具有正向恢复保护和dv/dt保护功能的5英寸3125A/7600V光控晶闸管。该晶闸管技术参数达到了国外同等水平。已成功应用到我国的"云-广±800KV/5000MW"特高压直流输电(UHVDC)工程中。
高山城赵涛刘东
关键词:晶闸管光控晶闸管
镀厚膜工艺技术研究
2008年
通过分析现有镀膜工艺设备的电子束加热原理、结构和热量损耗,并针对实际应用过程中镀膜存在的问题,提出了对现有设备的改进措施,开发出一种新的镀厚膜工艺,较好解决了芯片镀厚膜的工艺技术难题和存在的镀厚膜工艺质量问题,大大提高了镀厚膜工艺的工作效率,极大地改善了特高压超大功率电力电子器件的电性能参数,收到了良好的效果。
高建峰邓宏洲高山城赵卫
关键词:镀膜
共2页<12>
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