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王延勇

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇喹啉
  • 2篇羟基
  • 2篇羟基喹啉
  • 2篇发光
  • 2篇8-羟基喹啉
  • 2篇8-羟基喹啉...
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇电子状态
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光材料
  • 1篇光材料
  • 1篇发光材料
  • 1篇发光器件
  • 1篇XPS
  • 1篇XPS研究
  • 1篇ITO

机构

  • 2篇兰州大学

作者

  • 2篇王延勇
  • 1篇李海蓉
  • 1篇张福甲
  • 1篇郑代顺

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究被引量：5
2001年
用传统的真空蒸镀法制备了Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品，并用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）研究了Ａｌｑ３／ＩＴＯ紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Ａｌｑ３／ＩＴＯ样品的表面分析表明，在ｌｑ３分子中，Ａｌ原子的束缚能（Ｅｂ）为７０．７ｅＶ和７５．１ｅＶ。分别对应于Ａｌ（０）和Ａｌ（Ⅲ）态，Ｃ原子的束缚能为２８５．８ｅＶ、２８６．３ｅＶ和２８６．８ｅＶ，分别对应于Ｃ－Ｃ、Ｃ－Ｏ和Ｃ－Ｎ键；Ｎ原子的主峰位于 ４０１．０ｅＶ，对应于 Ｃ－Ｎ＝Ｃ键；而 Ｏ原子主要与 Ｈ原子成键，其束缚能为５３２．８ｅＶ。为了研究Ａｌｑ３／ＩＴＯ的界面电子状态，我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀，当溅射时间分别为３０，３５，４５分钟时进行ＸＰＳ采谱分析。结果表明，随着氩离子束溅射时间增长，Ａｌ２ｐ、Ｃ１ｓ、Ｎ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｉｎ３ｄ５／２和Ｓｎ３ｄ５／２峰都向低束缚能方向有微小移动，且Ａｌ２ｐ、Ｃ１ｓ和Ｎ１ｓ峰变弱，这是受ＩＴＯ中扩散进入Ａｌｑ３层的Ｏ、Ｉｎ和Ｓｎ原子的影响所致。
郑代顺李海蓉王延勇张福甲
关键词：XPS电致发光器件8-羟基喹啉铝
有机发光材料8-羟基喹啉铝特性研究
8-羟基喹啉铝(Alq<,3>)是目前有机电致发光研究领域中广泛采用荧光材料.论文工作详细研究了其制备、提纯的方法,结构特性,光学、电学属性,以及在有机发光二极管(OLED)中的应用,并对其表面和界面特性进行研究.该文研...
王延勇
关键词：有机发光材料8-羟基喹啉铝
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