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毛盾

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:合肥工业大学更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇准一维
  • 2篇电流
  • 2篇电子束
  • 2篇短路
  • 2篇短路电流
  • 2篇铜化合物
  • 2篇硫属
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇化合物
  • 2篇化学组成
  • 2篇缓冲层
  • 2篇N型
  • 2篇SUB
  • 2篇衬底
  • 2篇存储器
  • 1篇电学性能
  • 1篇电压
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米结构
  • 1篇异质结

机构

  • 5篇合肥工业大学

作者

  • 5篇毛盾
  • 4篇王莉
  • 4篇罗林保
  • 4篇于永强
  • 4篇王文坚
  • 4篇吴春艳
  • 2篇周国方
  • 2篇许俊
  • 2篇吴义良

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
n型In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层的成膜方法及其应用
针对现有技术制备In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层时的不足,本发明提供一种新的n型In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层的成膜方法和应用。本发明的成膜方法,由制备In<Su...
吴春艳王文坚毛盾罗林保王莉于永强许俊
文献传递
基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法
本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上,通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发,在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极,然后通...
吴春艳吴义良周国方王文坚毛盾于永强罗林保王莉
文献传递
基于Cu2-xSe准一维纳米结构的径向异质结的制备及其特性研究
硒化亚铜(Cu2-xSe)是一种阳离子缺陷p型半导体材料(室温直接禁带宽度为1.4eV,间接禁带宽度为2.3eV),其独特的光学、电学特性使其被广泛应用于化学传感器、光电子器件领域,其在光伏领域也有着潜在的应用前景。径向...
毛盾
关键词:电学性能光伏器件
n型In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层的成膜方法及其应用
针对现有技术制备In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层时的不足,本发明提供一种新的n型In<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>缓冲层的成膜方法和应用。本发明的成膜方法,由制备In<Su...
吴春艳王文坚毛盾罗林保王莉于永强许俊
文献传递
基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法
本发明公开了一种基于硫属亚铜化合物的准一维纳米阻变存储器与制备方法。首先将硫属亚铜化合物准一维纳米结构均匀分散在绝缘衬底上,通过一次紫外曝光光刻和电子束蒸发,在硫属亚铜化合物准一维纳米结构的一端蒸镀上金属Cu电极,然后通...
吴春艳吴义良周国方王文坚毛盾于永强罗林保王莉
共1页<1>
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