欧阳帆
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- MFMIS铁电场效晶体管的制备及存储特性被引量：3
- 2008年
- 在磁控溅射法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜的基础上,结合半导体工艺制备了金属/铁电/金属/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容-电压(C-V)特性曲线和逆时针漏电流-栅电压(Id-Vg)特性曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应和极化存储性能,且在-5^+5 V的电压下存储窗口为2 V。
- 蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松欧阳帆陈彦宇
- 关键词：磁控溅射铁电场效应晶体管
- 一种新型铁电存储器脉冲式读出方法的研究
- 本文首先介绍了先进的铁电存储器脉冲式读出机理(pulse-sensing scheme),采用这种读出机理可以减小铁电材料疲劳特性对存储器的影响,但是基于这种读出机理的各种原有读出方法具有读出周期长的缺点。本文提出的改进...
- 陈彦宇阮爱武李平蔡道林欧阳帆翟亚红
- 关键词：铁电存储器读出电路
- 铁电电容工艺与标准CMOS工艺兼容性研究
- 2007年
- 在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10-6铅挥发。同时进一步研究了铁电工艺对底层NMOS管、PMOS管和CMOS电路性能的影响。实验结果表明:PMOS管的性能所受影响较大,PMOS管子的跨导(gm)明显降低;而NMOS管的性能所受影响较小;CMOS电路的数字逻辑功能正常。
- 翟亚红李平张树人杨成韬阮爱武蔡道林欧阳帆陈彦宇
- 关键词：PZT薄膜铁电电容跨导
- 应用于FRAM的集成铁电电容的研究
- 2008年
- 集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表明,这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容,符合铁电存储器对铁电电容的要求。
- 蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松陈彦宇欧阳帆
- 关键词：铁电电容铁电存储器
- 一种新型铁电存储器脉冲式读出方法的研究
- 本文首先介绍了先进的铁电存储器脉冲式读出机理(pulse-sensing scheme),采用这种读出机理可以减小铁电材料疲劳特性对存储器的影响,但是基于这种读出机理的各种原有读出方法具有读出周期长的缺点。本文提出的改进...
- 陈彦宇阮爱武李平蔡道林欧阳帆翟亚红
- 关键词：铁电存储器读出电路
- 文献传递
- 集成铁电存储器的研究
- 铁电存储器由-于-它的低功耗、低电压、高的读写速度以及高保持性而被认为是一种理想的非挥发性存储器。国外已经有了产品,但是国内一直是个还没有集成器件的报道。
- 蔡道林李平翟亚红阮爱武陈彦宇欧阳帆
- 文献传递
