杨立杰
- 作品数：36 被引量：55H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器被引量：11
- 2003年
- 介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 。
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路可变衰减器GAASMMIC
- 高功率、高效率功率PHEMT
- 本文报告了研制的9.6mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在f=11.2GHz、V=8.5V时该器件输出功率37.28dBm,功率增益9.5dB,功率附加效率44.7%,在V=5～9V的范围内,该器件的功率附加效率均大于4...
- 陈堂胜杨立杰周焕文李拂晓陈效建
- 文献传递
- 一种新颖的DC～50GHz低相移MMIC可变衰减器
- 本文报导的这种DC-50GHz超宽带的GaAsMMIC压控电调衰减器除了具有大动态衰减范围,优异的输入/输出驻波及多功能等特点外,低的插入相移是这种芯片的最显著的特点.
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：可变衰减器插入相移
- 文献传递
- 光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3
- 2010年
- 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50μm×50μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为151Iμm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积为1950μm×1910μm,在3.125 Gb/s传输速率下,分别输入信号幅度为10和500 mV,可以得到500 mV恒定输出摆幅。
- 范超陈堂胜杨立杰冯欧焦世龙吴云峰叶玉堂
- 关键词：集成光学限幅放大器
- 5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端被引量：1
- 2006年
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂
- 关键词：单片集成PHEMTGAASMSM
- 一种新颖的DC～50GHz低相移MMIC可变衰减器
- ＜正＞1.引言GaAs MMIC控制电路由于其体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高、几乎无功耗等显著优点在许多电子系统和设备中获得广泛地应用。众所周知,在现代先进的移动通信等系统（如空间分集智能天线和相控阵系统）...
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 文献传递
- 一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
- 2002年
- 介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波≤2.2,衰减相移比≤1.2°/dB.芯片尺寸为2.33mm×0.68mm×0.1mm.芯片成品率高达80%以上,工作环境温度达125℃,可靠性高,稳定性好.
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路超宽带相移可变衰减器
- 6.5 kV,5 A 4H-SiC 功率 DMOSFET器件
- 2019年
- 报道了在60μm厚、掺杂浓度1.3×10^(15) cm^(-3)的外延层上制备4H-SiC功率DMOSFET器件的研究结果。器件击穿电压大于6.5 kV,导通电流大于5 A,相对于之前的报道结果,器件导通能力提升了25倍。器件采用由55根环组成的,450μm宽的浮空场限环作为器件终端结构。通过1 250°C热氧化工艺和NO退火技术,完成器件栅介质层制备。通过横向MOSFET测试图形,提取器件峰值有效沟道迁移率为23 cm^2/(V·s)。器件有源区面积为0.09 cm^2,在栅极电压20 V、室温下,器件比导通电阻为50 mΩ·cm^2。在漏极电压6.5 kV时,器件漏电流为6.0μA,对应器件漏电流密度为30μA·cm^(-2)。基于此设计结构,通过设计实验,提取了SiC DMOSFET器件中电阻比例组成。
- 杨立杰李士颜刘昊黄润华李赟柏松
- 关键词：阻断电压比导通电阻
- 单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：2
- 2008年
- 利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。
- 冯忠焦世龙冯欧杨立杰蒋幼泉陈堂胜陈辰叶玉堂
- 关键词：单片集成分布放大器光接收机眼图
- P型GaAs欧姆接触的制作被引量：5
- 2007年
- 在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti/Pt/Au和Cr/Pt/Au多层金属作为欧姆接触金属,并对比合金前后的差别。结果表明,使用Ti/Pt/Au作为欧姆接触金属效果更好,合金对于降低欧姆接触电阻率效果明显,合金后Ti/Pt/Au的接触电阻率可达到3.08×10-5Ω.cm2。
- 杨立杰李拂晓蒋幼泉陈新宇
- 关键词：砷化镓合金接触电阻率
