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廖昭亮

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇掩模
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇介质层
  • 2篇金属
  • 2篇晶片
  • 2篇绝缘
  • 2篇可变电阻
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇硅晶
  • 2篇硅晶片
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇干法刻蚀工艺
  • 2篇存储器
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇低电流
  • 1篇点接触

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇廖昭亮
  • 5篇李琳
  • 4篇陈东敏
  • 3篇孟洋
  • 3篇李建奇
  • 3篇梁学锦
  • 2篇张培健
  • 2篇刘紫玉
  • 2篇潘新宇
  • 1篇刚建雷
  • 1篇黎松林
  • 1篇苏涛
  • 1篇杨槐馨

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2010
  • 3篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
用于TEM样品制备的手动精密研磨抛光器
本实用新型提供一种可以精确控制研磨样品厚度的研磨抛光器，该手动研磨抛光器包括主体结构、测微丝杆、三个宝石球。测微丝杆和宝石球设置在主体结构上，测微丝杆由主体结构的中间通孔伸出，测微丝杆的杆顶部平面装载样品，通过调节测微丝...
廖昭亮李琳陈东敏
文献传递
点接触金属／Pr0．7Ca0．3MnO3／Pt结构稳定的低电流电阻开关特性被引量：1
2009年
利用自主开发的导电原子力显微镜控制Pt,W探针构成点接触金属/Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO)/Pt三明治结构,对其电流-电压(I-V)及脉冲诱导电阻开关(EPIR)特性进行了研究.研究发现,在10nA限流下两种电极对应结构的I-V都表现出相当稳定的双极性电阻开关特性,以及大于100的电阻开关比.进一步测试发现,点接触W/PCMO/Pt器件具有在10nA限流下稳定的EPIR特性以及100pA限流下重复的双极性电阻开关特性.此电流比已报道的电流低3个数量级,表明此结构在低功耗存储器件方面的潜在应用.通过对比样品不同位置、不同限流、不同接触面积点接触Pt/PCMO/Pt的I-V回滞特性,把点接触器件在低电流下稳定、显著的电阻开关效应归结于小的器件面积导致强的局域电场加强了O离子迁移效应.
刚建雷黎松林孟洋廖昭亮梁学锦陈东敏
关键词：电阻开关
透明的电阻型非易失性存储器
本发明公开了一种完全透明的非易失性存储器，该存储器包括：透明衬底，形成在所述衬底上面的透明的底部电极层，形成在所述底部电极上的透明记录介质层，以及形成在透明记录介质层上面的透明的顶部电极层，其中，透明衬底为绝缘体，透明记...
孟洋赵宏武张培健刘紫玉廖昭亮潘新宇梁学锦陈东敏
文献传递
薄膜窗口的制备方法
本发明提供了一种薄膜窗口的制备方法，包括：提供一硅晶片；在所述硅晶片的两面分别沉积一层保护薄膜层和一层窗口薄膜层；提供具有至少一个窗口的掩模，并将所述掩模可分离地覆盖在所述保护薄膜层上；利用干法刻蚀工艺在所述硅晶片内部刻...
李琳廖昭亮李建奇
文献传递
新型TEM样品支持膜(氮化硅窗口)的制作工艺
本发明提供一种新型的TEM样品支持膜的制作工艺，具体步骤为：通过在硅基片的一面沉积氮化硅薄膜，另一面沉积掩膜层得到SiNx/Si/Mask结构；然后采用微加工工艺制作腐蚀图形。采用本发明中所公开的TEM样品支持膜的制作工...
李琳廖昭亮李建奇杨槐馨
文献传递
La2/3Sr1/3MnO3超薄薄膜低温下再次进入的绝缘相的研究
La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)是铁磁金属材料，在锰氧化物材料里具有最高的居里温度，其金属性与其铁磁性通过双交换机制耦合。研究发现LSMO薄膜随着厚度的减小会出现金属到绝缘体的转变[1]，这个临界厚度被称作“死层...
李琳廖昭亮金荣英张坚地郭建东
关键词：局域化
薄膜窗口的制备方法
本发明提供了一种薄膜窗口的制备方法，包括：提供一硅晶片；在所述硅晶片的两面分别沉积一层保护薄膜层和一层窗口薄膜层；提供具有至少一个窗口的掩模，并将所述掩模可分离地覆盖在所述保护薄膜层上；利用干法刻蚀工艺在所述硅晶片内部刻...
李琳廖昭亮李建奇
文献传递
电阻存储器
本发明提供一种含有导电氧化层，并可提供给可变电阻存储介质氧元素的非易失性电阻存储器件。该非易失性电阻存储器件，包括：底电极；可变电阻存储介质层，该介质层为氧化物；充当氧库的导电氧化物；以及顶电极。通过插入的导电氧化层为介...
张培健赵宏武孟洋刘紫玉廖昭亮苏涛潘新宇梁学锦陈东敏
文献传递
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