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李琳

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 2篇掩模
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇晶片
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇硅晶
  • 2篇硅晶片
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇干法刻蚀工艺
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇研磨
  • 1篇手感
  • 1篇水沙
  • 1篇丝杆
  • 1篇装载
  • 1篇微加工
  • 1篇温下
  • 1篇膜层

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇廖昭亮
  • 5篇李琳
  • 3篇李建奇
  • 1篇陈东敏
  • 1篇杨槐馨

传媒

  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
用于TEM样品制备的手动精密研磨抛光器
本实用新型提供一种可以精确控制研磨样品厚度的研磨抛光器，该手动研磨抛光器包括主体结构、测微丝杆、三个宝石球。测微丝杆和宝石球设置在主体结构上，测微丝杆由主体结构的中间通孔伸出，测微丝杆的杆顶部平面装载样品，通过调节测微丝...
廖昭亮李琳陈东敏
文献传递
薄膜窗口的制备方法
本发明提供了一种薄膜窗口的制备方法，包括：提供一硅晶片；在所述硅晶片的两面分别沉积一层保护薄膜层和一层窗口薄膜层；提供具有至少一个窗口的掩模，并将所述掩模可分离地覆盖在所述保护薄膜层上；利用干法刻蚀工艺在所述硅晶片内部刻...
李琳廖昭亮李建奇
文献传递
新型TEM样品支持膜(氮化硅窗口)的制作工艺
本发明提供一种新型的TEM样品支持膜的制作工艺，具体步骤为：通过在硅基片的一面沉积氮化硅薄膜，另一面沉积掩膜层得到SiNx/Si/Mask结构；然后采用微加工工艺制作腐蚀图形。采用本发明中所公开的TEM样品支持膜的制作工...
李琳廖昭亮李建奇杨槐馨
文献传递
La2/3Sr1/3MnO3超薄薄膜低温下再次进入的绝缘相的研究
La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)是铁磁金属材料，在锰氧化物材料里具有最高的居里温度，其金属性与其铁磁性通过双交换机制耦合。研究发现LSMO薄膜随着厚度的减小会出现金属到绝缘体的转变[1]，这个临界厚度被称作“死层...
李琳廖昭亮金荣英张坚地郭建东
关键词：局域化
薄膜窗口的制备方法
本发明提供了一种薄膜窗口的制备方法，包括：提供一硅晶片；在所述硅晶片的两面分别沉积一层保护薄膜层和一层窗口薄膜层；提供具有至少一个窗口的掩模，并将所述掩模可分离地覆盖在所述保护薄膜层上；利用干法刻蚀工艺在所述硅晶片内部刻...
李琳廖昭亮李建奇
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