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周阳

作品数：12 被引量：1H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：化学工程理学政治法律电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 4篇学位论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇政治法律

主题

  • 7篇聚硅氧烷
  • 6篇色谱
  • 5篇接枝
  • 5篇接枝聚硅氧烷
  • 5篇固定相
  • 4篇硅油
  • 3篇势垒
  • 3篇势垒层
  • 3篇气相
  • 3篇气相色谱
  • 3篇相色谱
  • 3篇二苯基
  • 3篇苯基
  • 2篇异质结
  • 2篇色谱分离
  • 2篇色谱固定相
  • 2篇色散力
  • 2篇戊二烯
  • 2篇烯丙基
  • 2篇烯基

机构

  • 12篇山东大学

作者

  • 12篇周阳
  • 6篇吴波
  • 5篇高尧华
  • 3篇朱晨
  • 3篇牛妍妍
  • 2篇赵景涛
  • 2篇林兆军
  • 2篇栾崇彪
  • 2篇杨铭
  • 2篇吕元杰
  • 1篇牛娜
  • 1篇刘磊

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
青岛市招商引资工作创新研究--以创制运营功能区为例
地方政府的招商引资工作，对我国当下产业结构调整和经济优化发展起着至关重要的作用，同时对于加快形成国内国际双循环发展新格局，具有优化配置、减缩流程的“双节点”价值。尤其在推进“放管服”改革进程中，传统的招商管理模式弊端凸显...
周阳
关键词：地方政府招商引资政府行为
文献传递
一种烯丙基乙基醚接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用
本发明提供了一种烯丙基乙基醚接枝聚硅氧烷，其结构通式如摘要附图所示，其中m、n均为正整数，且m∶n＝9∶1，且分子量为8000～12000。本发明另外提供了它的制备方法：将烯丙基乙基醚通过硅氢加成反应接枝到含氢硅油上，制...
吴波高尧华朱晨牛妍妍周阳
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
文献传递
一种2-甲基-3,4-二苯基苯基接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用
本发明提供了一种2-甲基-3，4-二苯基苯基接枝聚硅氧烷，其结构通式如摘要附图所示，其中m、n均为正整数，且m∶n＝9∶1，且分子量为8万～10万。本发明另外提供了它的制备方法：将2-甲基-3，4-二苯基环戊二烯酮通过D...
吴波高尧华朱晨牛妍妍周阳
文献传递
一种对丙烯基茴香醚接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用
本发明涉及一种对丙烯基茴香醚接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用，将对丙烯基茴香醚通过硅氢加成反应接枝到甲基含氢硅油上，制得对丙烯基茴香醚接枝聚硅氧烷，其结构通式见摘要附图：其中，m、n均为正整数，且m∶n＝8∶2，平均分子量...
周阳吴波高尧华
文献传递
一种3,4-二苯基苯基接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用
本发明涉及一种3，4-二苯基苯基接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用，将3，4-二苯基环戊二烯酮作为一个基团通过Diels-Alder反应接枝到线性聚硅氧烷长链上，制得3，4-二苯基苯基接枝聚硅氧烷。其结构通式如下：其中m∶n...
吴波周阳牛娜刘磊
文献传递
一种对丙烯基茴香醚接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用
本发明涉及一种对丙烯基茴香醚接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用，将对丙烯基茴香醚通过硅氢加成反应接枝到甲基含氢硅油上，制得对丙烯基茴香醚接枝聚硅氧烷，其结构通式如下：其中，m、n均为正整数，且m∶n＝8∶2，平均分子量为80...
周阳吴波高尧华
两种可极化的二苯基苯基接枝聚硅氧烷气相色谱固定相的合成及性能研究
毛细管气相色谱以其快速、高效、高灵敏的优点，成为现代色谱分析中重要的分析手段之一。随着科技的发展和人们环保意识的增强，对沸点相近、结构相似的复杂化合物的分离分析，特别是对食品及环境科学中的芳烃化合物的检测，更需要色谱工作...
周阳
关键词：毛细管气相色谱色谱性能固定相
一种烯丙基乙基醚接枝聚硅氧烷及其制备方法和应用
本发明提供了一种烯丙基乙基醚接枝聚硅氧烷，其结构通式如摘要附图所示，其中m、n均为正整数，且m∶n＝9∶1，且分子量为8000～12000。本发明另外提供了它的制备方法：将烯丙基乙基醚通过硅氢加成反应接枝到含氢硅油上，制...
吴波高尧华朱晨牛妍妍周阳
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确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法
确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒...
林兆军赵景涛栾崇彪吕元杰杨铭周阳杨琪浩
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