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周立军

作品数:10 被引量:9H指数:2
供职机构:沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇溅射
  • 4篇电阻
  • 3篇热敏电阻
  • 2篇可靠性
  • 2篇溅射法
  • 2篇溅射法制备
  • 2篇感器
  • 2篇INSB薄膜
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇电阻器
  • 1篇亚胺
  • 1篇元件
  • 1篇湿敏
  • 1篇湿敏元件
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏元件
  • 1篇热电阻
  • 1篇热敏电阻器
  • 1篇酰亚胺

机构

  • 10篇沈阳工业大学
  • 2篇东南大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇沈阳仪器仪表...

作者

  • 10篇周立军
  • 8篇孙承松
  • 4篇李云鹏
  • 3篇关艳霞
  • 3篇魏永广
  • 3篇温作晓
  • 2篇谢军
  • 1篇全宝富
  • 1篇孙良彦
  • 1篇王哲
  • 1篇王剑刚
  • 1篇关杰
  • 1篇王哲

传媒

  • 5篇仪表技术与传...
  • 1篇传感器世界
  • 1篇传感器技术
  • 1篇沈阳工业大学...
  • 1篇真空
  • 1篇第七届全国湿...

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1991
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
软基底薄膜热敏电阻器的失效分析
1996年
对软基底薄膜热敏电阻器的可靠试验进行了研究,由试验数据找出失效原因,并提出改进措施。
周立军谢军孙承松
关键词:热敏电阻器可靠性
平面热线型气敏元件Pt加热电阻研制
经清洗后,用热氧化法生长SiO〈,2〉,并溅射Pt膜,刻蚀出所需的Pt电阻图形,经热处理,减薄、分割后,作为平面热线型气敏元件加热电阻。通过实验,分析了影响Pt与SiO〈,2〉附着力的因素、溅射条件和热处理条件对Pt膜性...
孙承松周立军王哲李云鹏
关键词:气敏元件溅射
热敏薄膜制备工艺研究被引量:2
1997年
介绍在聚酰亚胺基底上由溅射方法制备热敏薄膜的工艺条件对膜热敏特性的影响。合理的选择薄膜的制备工艺条件和热处理条件可以得到良好特性的热敏薄膜,其温度系数大于4500ppm/℃。
孙承松周立军李云鹏
关键词:溅射聚酰亚胺热敏电阻
Pt薄膜平面热线型NH_3敏元件被引量:2
1997年
本文介绍了铂薄膜平面热线型氨传感器.它是利用高频溅射在硅片上制作铂膜电阻,然后涂以气敏涂料,600℃下烧结90分钟而制成的NH_3敏元件.同时讨论了几种元素对元件灵敏度及选择性的影响,发现以SnO_2为基体材料加入少量的Au对氨气有较高的灵敏度,以WO_3为主体材料加少量钒酸盐的保护层,对元件的选择性有所改善.
王哲全宝富王剑刚孙良彦李云鹏孙承松周立军
关键词:传感器
溅射条件对湿敏薄膜特性的影响
2000年
本文介绍了 RF溅射制备湿度敏感膜技术 ,讨论了衬底温度、工作气体及压力、放电电压及时间对湿敏膜感湿特性的影响。实验结果表明 。
孙承松温作晓魏永广关艳霞周立军
关键词:溅射湿敏元件
溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In与Sb的原子比问题被引量:4
2001年
介绍一种基于原子比为 1:1的InSb靶制备原子比为 1:1的InSb薄膜的方法 ,实验结果表明 。
温作晓孙承松魏永广关艳霞周立军
关键词:溅射INSB薄膜磁敏传感器
微机半导体高频C—V测试仪的研究
1991年
文章介绍一种已研制出的小型微机半导体高频C—V测试仪,分析了测试系统和它的工作原理。简要地指出程序设计流程和所用公式。实验证明该仪器有使用方便、迅速、价格低廉等特点。
姜万钟李云鹏周立军
关键词:半导体器件测试装置微机
薄膜磁敏元件基片的选择与制备
1995年
本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求,依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片,上面制备SiO_2作绝缘膜。重点论论了用射频溅射法制备SiO_2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验,给出实验结果。
李云鹏孙承松周立军关杰曾永宁
关键词:基片溅射
Ni薄膜热敏电阻失效机理研究被引量:1
1996年
通过对Ni薄膜热敏电阻进行可靠性试验得出其失效模式,并对失效机理进行了分析。
谢军周立军李云鹏
关键词:可靠性热敏电阻
溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In的氧化及热处理保护被引量:1
2001年
介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时 ,如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明 ,只要控制好工艺条件 ,可以获得较好的效果。
孙承松魏永广关艳霞周立军温作晓
共1页<1>
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