关艳霞
- 作品数：79 被引量：103H指数：4
- 供职机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- N^+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
- 2013年
- N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
- 关艳霞凌宇
- 关键词：通态压降仿真
- 微流控芯片电导检测系统研究
- ＜正＞电导检测方法具有简单,通用性强,无需标记,与微流控分析系统匹配性好,容易实现集成等特点。和电化学检测方法类似,在高电场环境下需要考虑电场耦合问题。Bai等巧妙的利用耦合现象实现了接触电导检测。高频非接触电导法通过和...
- 吴志勇方芳关艳霞王世立徐章润方肇伦
- 文献传递
- 5000A－200V－10KHz阻焊机用FRD二极管的研制被引量：1
- 2012年
- 阐述了高中频电阻焊机对超大电流FRD快恢复整流二极管的需求和技术特征。给出了FRD5000A-200V-10kHz二极管的设计计算书，采用和国际接轨的超薄硅片技术、超薄封装结构技术、低阳极浓度技术、带有缓冲层的双基区技术、保留磷硅玻璃层的扩铂技术、雪崩二极管技术、整个加工过程的无应力技术和先进的测试技术，完成了10kHz电阻焊机用FRD5000A-200V器件的制作和批量生产任务。
- 夏禹清关艳霞高瑞彬潘福泉
- 关键词：雪崩
- MPS二极管特性折衷的研究被引量：2
- 2018年
- 在开关电源或逆变电路中,快速软恢复二极管得到大量的使用。传统的PIN二极管存在着大反向恢复峰值电流和硬恢复特性的问题,因此具有低阳极注入的二极管结构被提出,例如PN结和肖特基接触相结合的混合PIN肖特基二极管MPS。以1200V MPS二极管为例,对其正向导通特性、反向阻断特性和反向恢复特性进行了研究。通过对MPS二极管的元胞面积和肖特基区面积的优化,实现了MPS二极管的正向导通电压和反向恢复存储电荷良好的折衷,与肖特基二极管相比,MPS二极管兼有较小的反向漏电流。通过对MPS二极管结构参数进行优化,使其具有更好的快速软恢复特性。
- 张晓勇关艳霞
- 晶闸管维持电流Ⅰ_H的研究被引量：1
- 1999年
- 在原有理论的基础上，根据晶闸管的实际情况，经分析提出了具有实际应用价值的计算晶闸管维持电流ＩＨ的简化模型，并根据此模型和有关理论推导出了关于ＩＨ的计算公式，实验证明该公式与实际情况符合较好．
- 关艳霞高金铠
- 关键词：晶闸管维持电流开通关断
- 晶闸管dv/dt的研究
- 2014年
- 对晶闸管dv/dt公式及其参数进行了解析分析、计算研究，结合测试数据，说明如何正确理解、设计和应用dv/dt，而确保研制的晶闸管具有优良特性。
- 潘福泉关艳霞高颖
- 关键词：晶闸管VD结电容
- 聚甲基丙烯酸甲酯微流控分析芯片的简易热压制作法被引量：40
- 2003年
- 提出聚甲基丙烯酸甲酯 ( PMMA)微流控分析芯片的一种简易热压制作法 ,研究了镍基、单晶硅和玻璃 3种阳模制备芯片及芯片的封合条件 .采用扫描电镜 ( SEM)和电荷耦合检测器 ( CCD)对 PMMA芯片的微通道及其横截面形貌进行了表征 .SEM图和 CCD图表明实现了热压封接 .测定了 PMMA芯片的伏安曲线和电渗流 ,其电渗流值与文献报道值基本一致 .本法制作的 PMMA芯片用于电泳分离 Cy5荧光染料 ,峰高RSD为 2 .2 % ( n=1 1 ) ,理论塔板数 7.4× 1 0 4m-1.
- 杜晓光关艳霞王福仁方肇伦
- 关键词：聚甲基丙烯酸甲酯微流控芯片热压法形貌表征电泳分离
- 超级结JBS二极管特性的仿真分析
- 2021年
- 为实现反向阻断特性和正向导通压降的折衷优化、提高单极型二极管功率,通过增加结型势垒控制肖特基二极管P柱区域结深,在JBS二极管中引入超级结结构。以300V耐压超级结JBS二极管为例分析其工作原理并建立模型,使用Silvaco软件对其反向阻断特性、正向导通特性、反向恢复特性进行仿真。通过仿真得出的反向阻断特性分析超级结结构对二极管器件中二维电场分布的影响,并结合仿真,阐述JBS二极管的结构及工作特色,论证其相比于肖特基二极管、JBS二极管的优势所在,为新型功率二极管的设计提供参考思路。
- 刘勇关艳霞刘亭王卉如邓杰
- U-MOSFET沟槽深度对特性影响的仿真分析被引量：1
- 2019年
- U-MOSFET是在LDMOS和VDMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,具有大电流和低导通电阻、无少子存储效应、开关速度快、可工作于较高频率等优点,结合此类优点,利用Silvaco软件对U型槽深度对阻断特性和通态特性的影响进行仿真分析。通过观察仿真中沟槽深度的增加对器件阻断电压、导通电阻等的影响,综合探讨了在对U型槽底部氧化层厚度以及沟槽深度的调整中,考虑到对击穿电压和特征导通电阻的影响而需要做出的折衷。
- 王南南关艳霞
- 关键词：氧化层厚度导通电阻击穿电压
- 一种基于纳米复合材料的自驱动、自感知悬臂梁传感器
- 本实用新型涉及一种基于纳米复合材料的自驱动、自感知悬臂梁传感器，其包括二氧化硅层、单晶硅层、压阻感知层、PZT驱动电极层、PZT层、PZT层驱动电极金属引线，PZT驱动电极层和PZT层形成U型结构，U型结构三面包围的空间...
- 张贺揣荣岩李新关艳霞夏贝贝
- 文献传递
