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硅双极型晶体管的可缩放MEXTRAM模型及参数提取被引量：1: 2005年; 文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法。结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取。得到的可缩放Mextram模型的仿真结果与测试数据吻合得很好。; 池毓宋黄风义张少勇吴忠洁

基于802.11a协议的无线局域网低噪声放大器和改进的有源双平衡混频器(英文): 2008年; 提出了采用0.18μm CMOS工艺,应用于802.11a协议的无线局域网接受机的低噪声放大器和改进的有源双平衡混频器的一些简单设计概念。通过在5.8 GHz上采用1.8 V供电所得到的仿真结果,低噪声放大器转换电压增益,输入反射系数,输出反射系数以及噪声系数分别为14.8 dB,-20.8 dB,-23.1 dB和1.38 dB。其功率损耗为26.3 mW。设计版图面积为0.9 mm×0.67 mm。混频器的射频频率,本振频率和中频频率分别为5.8 GHz,4.6 GHz和1.2 GHz。在5.8 GHz上,混频器的传输增益,单边带噪声系数(SSB NF),1 dB压缩点,输入3阶截点(IIP3)以及功率损耗分别为-2.4 dB,12.1 dB,3.68 dBm,12.78 dBm和22.3 mW。设计版图面积为1.4 mm×1.1 mm。; 吴忠洁田昱赵亮朱玉峰沈懿黄风义; 关键词：低噪声放大器混频器 CMOS 无线局域网

基于区域化的CMOS模型参数提取方法被引量：2: 2005年; 根据CMOS的可缩放特性,提出了一种基于区域化(Binning)的模型参数提取方法。本方法首先按器件的尺寸划分区间,然后计算参数的缩放系数,最后根据缩放公式确定同一区间内不同尺寸器件的参数值。而传统的CMOS参数提取方法是在一定的区间内提取一个典型的参数值,用它代表整个区间内器件的参数值。与传统方法相比,本方法提高了模型参数的精度。针对一组0.35μmCMOS器件,利用本方法获得的缩放系数计算了区间内几个单管的模型参数,所得到的结果与针对每个单管提取参数的结果吻合得很好,平均误差小于6%。; 张少勇黄风义池毓宋吴忠洁姜楠; 关键词：CMOS 模型参数可缩放性

片上螺旋带中央抽头对称电感的新解析参数提取方法: 2008年; 我们提出了一种针对硅基有中心抽头的片上螺旋电感的参数提取的新的解析函数方法。通过建立一系列闭合解析公式,模型参数可以通过一系列引入分块的线性特征函数方法来提取出。通过基于0.18μmCMOS工艺的测量数据的验证,同时与传统的方法进行比较,我们的方法可以在宽频带内实现电感的高精度仿真。; 吴忠洁田昱徐歆玮黄风义姜楠; 关键词：电感

深亚微米(纳米)硅基在片电感器件的模型研究及性能优化: 无源器件尤其是电感是射频集成电路中至关重要的器件。先进的射频CMOS工艺已经能在片集成无源器件。在片无源器件能有效减小封装寄生参数，提高电路稳定性和性能，因此其应用已经成为一种趋势。但是在片无源器件仍然面临着严重的挑战，...; 吴忠洁; 关键词：等效电路

0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟被引量：1: 2006年; 采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.; 池毓宋黄风义吴忠洁张少勇孔晓明王志功; 关键词：CMOS 射频小信号模型

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吴忠洁