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片上螺旋带中央抽头对称电感的新解析参数提取方法: 2008年; 我们提出了一种针对硅基有中心抽头的片上螺旋电感的参数提取的新的解析函数方法。通过建立一系列闭合解析公式,模型参数可以通过一系列引入分块的线性特征函数方法来提取出。通过基于0.18μmCMOS工艺的测量数据的验证,同时与传统的方法进行比较,我们的方法可以在宽频带内实现电感的高精度仿真。; 吴忠洁田昱徐歆玮黄风义姜楠; 关键词：电感

基于802.11a协议的无线局域网低噪声放大器和改进的有源双平衡混频器(英文): 2008年; 提出了采用0.18μm CMOS工艺,应用于802.11a协议的无线局域网接受机的低噪声放大器和改进的有源双平衡混频器的一些简单设计概念。通过在5.8 GHz上采用1.8 V供电所得到的仿真结果,低噪声放大器转换电压增益,输入反射系数,输出反射系数以及噪声系数分别为14.8 dB,-20.8 dB,-23.1 dB和1.38 dB。其功率损耗为26.3 mW。设计版图面积为0.9 mm×0.67 mm。混频器的射频频率,本振频率和中频频率分别为5.8 GHz,4.6 GHz和1.2 GHz。在5.8 GHz上,混频器的传输增益,单边带噪声系数(SSB NF),1 dB压缩点,输入3阶截点(IIP3)以及功率损耗分别为-2.4 dB,12.1 dB,3.68 dBm,12.78 dBm和22.3 mW。设计版图面积为1.4 mm×1.1 mm。; 吴忠洁田昱赵亮朱玉峰沈懿黄风义; 关键词：低噪声放大器混频器 CMOS 无线局域网

采用0.18 μmCMOS工艺超宽带低噪声放大器的设计(英文): 2009年; 提出了一个采用TSMC 0.18μmCMOS工艺设计的,工作频段为3.1～5.2GHz的超宽带低噪声放大器。放大器采用了前置带通滤波器的并联负反馈共源共栅结构,并从宽带电路,高频电路器件选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计,结果表明,在整个工作频段,电路输入输出匹配S11,S22均小于-14dB,最高增益为15.92dB,增益波动为1.13dB,电路工作电压为1.8V,功耗为27mW,噪声系数NF为1.84～2.11dB。; 汪小军黄风义田昱唐旭升王勇; 关键词：超宽带低噪声放大器并联负反馈切比雪夫滤波器

深亚微米CMOS集成电路片上无源器件仿真，测试，参数提取及模型研究: 通信和电子技术的快速增长带来了集成电路（IC）产业的蓬勃发展。随着集成电路工艺的改进，片上无源器件的性能逐步提高，片上无源器件在满足电路性能指标的同时极大的提高了系统的集成度，这已经被广泛的研究和应用。然而，从器件优化和...; 田昱; 关键词：集成电路仿真建模技术; 文献传递

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田昱