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吴会利

作品数：18 被引量：8H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇硅片
  • 4篇半导体
  • 3篇电流
  • 3篇氧化层
  • 3篇击穿电压
  • 3篇光电
  • 2篇带隙基准
  • 2篇电池
  • 2篇电路
  • 2篇淀积
  • 2篇调制器
  • 2篇多通道
  • 2篇乙烯
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇阵列
  • 2篇输出电流
  • 2篇输出脉冲
  • 2篇数据选择器
  • 2篇偏二氯乙烯

机构

  • 13篇中国电子科技...
  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 18篇吴会利
  • 5篇郑莹
  • 4篇刘旸
  • 3篇尹自强
  • 3篇刘淼
  • 2篇陈桂梅
  • 2篇唐冬
  • 2篇杜海军
  • 2篇赵子健
  • 2篇申猛
  • 2篇刘剑
  • 1篇王丹
  • 1篇刘丽娜
  • 1篇马洪江
  • 1篇孔明

传媒

  • 5篇微处理机

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种光电池及其制造方法
本申请提供一种光电池的制造方法，包括a.提供n型基体；b.在所述n型基体上形成p环区以及围绕所述p环区的n环区，所述p环区与所述n环区间隔；c.在被所述p环区围绕的区域内形成与所述p环区贴合的光敏区；d.利用硅烷与氨气通...
吴会利郑莹陈桂梅赵子健
文献传递
一种多通道带脉宽调制输出的单片数字温度传感器
本发明涉及一种多通道带脉宽调制输出的温度传感器。包括数据选择器、模数转换器(ADC)、带隙基准、控制逻辑、数字总线、脉宽调制器和数字总线逻辑。一共四路通道，可以测量四路单端电压，可以两个通道配合使用测量差分电压及温度和电...
尹自强吴会利范军
提高栅氧化层质量的制备工艺
本发明公开了一种提高栅氧化层质量的制备工艺，属于半导体功率器件制造加工技术领域。该工艺包括：(1)制备栅氧化层前对硅片进行清洗，以保证硅片表面的洁净；(2)制备栅氧化层前进行管道处理，以改善炉管内气氛，具体是采用低温条件...
吴会利刘淼
文献传递
一种反熔丝单元可靠性测试方法
本发明属于反熔丝FPGA产品测试领域，具体说是一种反熔丝单元可靠性测试方法，可以在PCM测试时实现反熔丝FPGA门阵列的查空测试，以及时发现反熔丝FPGA产品的可靠性问题。在未对反熔丝单元编程前，通过对PAD点施加电压，...
刘旸杜海军吴会利唐冬
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抗单粒子功能中断的D触发器设计方法
本发明公开了一种抗单粒子功能中断的D触发器，该D触发器采用特殊设计的加固DICE结构，该结构由时钟冗余电路，主DICE锁存器，从DICE锁存器，延时滤波电路，相位转换电路组成。该D触发器中的相位转换电路通过相位延时的方法...
刘淼吴会利刘丽娜王丹
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半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺
本发明公开了一种半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，属于半导体器件制备技术领域。该工艺先进行杂质预淀积过程，然后将扩散炉在氮气和氧气的混合气氛下以5℃/min的速率升温至再扩散温度T2；进行杂质再扩散，最后将扩散炉在5s...
吴会利刘旸
一种光电池及其制造方法
本申请提供一种光电池的制造方法，包括a.提供n型基体；b.在所述n型基体上形成p环区以及围绕所述p环区的n环区，所述p环区与所述n环区间隔；c.在被所述p环区围绕的区域内形成与所述p环区贴合的光敏区；d.利用硅烷与氨气通...
吴会利郑莹陈桂梅赵子健
一种VDMOS器件及其制造方法
本申请提供一种VDMOS器件的制造方法包括在衬底的外延层表面形成沟槽，在所述沟槽内沉积体内氧化层，在所述外延层之上形成栅极，所述栅极与所述体内氧化层接界，在所述外延层上，以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式在所述体内氧化...
郑莹吴会利马洪江
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半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺
本发明公开了一种半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，属于半导体器件制备技术领域。该工艺先进行杂质预淀积过程，然后将扩散炉在氮气和氧气的混合气氛下以5℃/min的速率升温至再扩散温度T2；进行杂质再扩散，最后将扩散炉在5s...
吴会利刘旸
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一种用于SOI工艺的横向SCR抗静电结构及其制备方法
本发明公开了一种用于SOI工艺的横向SCR抗静电结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。该SCR抗静电结构整体采用环状结构，包括四个区域，构成SCR的横向PNPN结构，并利用金属布线引出，可以根据要求对杂质浓度和尺寸进行...
吴会利尹自强
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