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华庆

作品数：3 被引量：14H指数：1
供职机构：哈尔滨理工大学更多>>
发文基金：教育部“春晖计划”更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇优化设计
  • 1篇有限元
  • 1篇散热
  • 1篇散热效果
  • 1篇热分析
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇功率VDMO...
  • 1篇功率器件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体功率器...
  • 1篇VDMOS
  • 1篇VDMOS器...
  • 1篇ANSYS

机构

  • 2篇哈尔滨理工大...
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 2篇华庆
  • 1篇刘晓为
  • 1篇焦国芹
  • 1篇殷景华

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
功率VDMOS器件可靠性分析及优化设计
随着科学技术的发展，以及宇航、军事工业和国际市场竞争的需要，对产品的可靠性的要求日益提高。功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，广泛应用于各种领域，是国内外半导体分立器件研究...
华庆
关键词：VDMOS器件半导体功率器件优化设计散热效果
文献传递
基于ANSYS的功率VDMOS器件的热分析及优化设计被引量：13
2009年
针对TO-220AB封装形式的功率VDMOS器件,运用有限元法建立器件的三维模型,对功率耗散条件下器件的温度场进行热学模拟和分析,研究了基板厚度、粘结层材料及粘结层厚度对器件温度分布的影响。分析结果表明,由芯片至基板的热通路是器件的主要散热途径,基板最佳厚度介于1~1.2 mm之间,且粘结层的导热系数越大、厚度越薄,越有利于器件的散热。
华庆殷景华焦国芹刘晓为
关键词：VDMOS有限元热分析ANSYS优化设计
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共1页<1>
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