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刘卓佳

作品数:4 被引量:6H指数:1
供职机构:河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省应用基础研究计划河北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电容
  • 3篇电容器
  • 3篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电电容器
  • 2篇阻挡层
  • 2篇TI-AL
  • 1篇底电极
  • 1篇电路
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇能谱
  • 1篇能谱分析
  • 1篇结构参数
  • 1篇扩散阻挡层
  • 1篇互连
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基集成电路

机构

  • 4篇河北大学

作者

  • 4篇刘卓佳
  • 3篇赵庆勋
  • 3篇刘保亭
  • 2篇付跃举
  • 2篇闫会芳
  • 1篇陈剑辉
  • 1篇杨林
  • 1篇郭建新
  • 1篇代秀红
  • 1篇任国强
  • 1篇彭增伟
  • 1篇李曼
  • 1篇赵冬月
  • 1篇张婷

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Pb过量对以Ti-Al为阻挡层的硅基铁电电容器极化翻转性能的影响被引量:1
2011年
以射频磁控溅射法生长的La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)为电极,采用溶胶-凝胶法在以Ti-Al为导电阻挡层的Si基片上生长了用不同Pb过量前驱体溶液(溶胶)制备的LSCO/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)/LSCO电容器,以此构造了Pt/LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si异质结。Pb过量对LSCO/PZT/LSCO电容器极化翻转性能的影响表明:不同Pb过量溶胶对电容器的极化翻转性能影响很大,其中Pb过量15%的溶胶制备的样品在550℃常规退火1 h后相对具有较好的翻转性能。在5 V的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的矫顽电压和剩余极化强度分别为1.25 V和24.6μC/cm2。疲劳和电阻率测试分析表明:在经过109翻转后,不同样品的抗疲劳性能均很好,而电阻率随前驱体溶液Pb过量的增加呈现下降的趋势。
刘卓佳刘保亭彭增伟代秀红闫会芳付跃举赵庆勋
关键词:铁电电容器PZT溶胶-凝胶
硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究被引量:5
2010年
随着集成电路向超大规模的发展,Cu互连技术已成为硅工艺领域的热点话题,其关键技术之一——扩散阻挡层的研究越来越受到人们的关注。结合课题组阻挡层的研究工作,介绍了当前Cu互连技术中难熔金属及其氮(碳、硅、氧)化物、多层膜、三元化合物等各类扩散阻挡层材料的研究发展现状,论述了阻挡层的厚度问题、阻挡层研究过程中的分析表征方法以及当前Cu互连的理论研究现状,归纳并分析了阻挡层的失效机制。
陈剑辉刘保亭赵冬月杨林李曼刘卓佳赵庆勋
关键词:CU互连扩散阻挡层
以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能
2012年
应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al异质结电容器。X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量。研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6μC/cm2和45.7 V。在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6 A/cm2。漏电机制研究表明,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制。铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象。
闫会芳赵庆勋付跃举刘卓佳张婷郭建新任国强刘保亭
关键词:铁电薄膜溶胶-凝胶
Ti-Al为导电阻挡层的硅基铁电电容器集成研究
应用磁控溅射法和溶胶-凝胶法,以非晶Ti-Al薄膜为导电阻挡层在硅衬底上制备了Pt/La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ti-Al/Si(Pt/LSCO/PZT/...
刘卓佳
关键词:溶胶-凝胶法结构参数能谱分析
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共1页<1>
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