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赵庆勋

作品数:91 被引量:174H指数:8
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省应用基础研究计划更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 66篇期刊文章
  • 20篇专利
  • 5篇科技成果

领域

  • 51篇理学
  • 14篇电子电信
  • 5篇机械工程
  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇医药卫生
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 21篇铁电
  • 15篇金刚石薄膜
  • 15篇磁控
  • 11篇溅射
  • 11篇磁控溅射
  • 10篇电容
  • 10篇电容器
  • 10篇铁电电容器
  • 10篇阻挡层
  • 9篇互连
  • 9篇激光
  • 7篇溶胶
  • 7篇铁电薄膜
  • 7篇脉冲激光
  • 7篇光谱
  • 7篇合金
  • 6篇铜互连
  • 6篇光学
  • 6篇二元合金
  • 6篇EACVD

机构

  • 88篇河北大学
  • 5篇中国科学院
  • 3篇华北电力大学
  • 1篇河北农业大学
  • 1篇保定学院
  • 1篇邢台学院
  • 1篇天津职业技术...
  • 1篇英利绿色能源...

作者

  • 91篇赵庆勋
  • 61篇刘保亭
  • 19篇闫正
  • 18篇王英龙
  • 18篇郭建新
  • 15篇周阳
  • 14篇李晓红
  • 14篇杨景发
  • 12篇代秀红
  • 12篇边芳
  • 11篇关丽
  • 9篇徐景智
  • 9篇葛大勇
  • 8篇郭庆林
  • 8篇董丽芳
  • 7篇马良
  • 7篇陈剑辉
  • 7篇程春生
  • 7篇李锋
  • 6篇乔晓东

传媒

  • 17篇河北大学学报...
  • 10篇人工晶体学报
  • 5篇物理学报
  • 4篇量子电子学
  • 3篇功能材料
  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇河北师范大学...
  • 2篇红外
  • 2篇激光与红外
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇光学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇材料导报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇低温工程

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 10篇2011
  • 8篇2010
  • 6篇2009
  • 9篇2008
  • 4篇2007
  • 9篇2006
  • 6篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 5篇2002
  • 1篇2001
  • 5篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1997
  • 2篇1996
91 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非均匀电场中电子在H_2/CH_4混合气体中运动的数值模拟
2001年
用MonteCarlo数值模拟方法研究了辉光等离子体辅助化学气相沉积法 (GPCVD)低温合成金刚石的过程中 ,电子在H2 /CH4 混合气体中的运动 .本文在数值模拟中 ,采用非匀强电场 ,并考虑了电子的雪崩过程 ,实现了对须跟踪的粒子数不断增长的系统的MonteCarlo模拟 。
辛红丽韩佳宁赵庆勋文钦若
关键词:电子运动甲烷混合气体金刚石薄膜数值模拟
《热学》课双语教学方法探索与实践被引量:1
2010年
通过对《热学》课双语教学的实践,论述了双语教学的一些教学方法,探讨了双语教学的必要性和可行性,并对进一步深化双语教学改革提出了一些建议。
葛大勇倪晓昌赵庆勋
关键词:双语教学热学原版教材多媒体课件
Ni-Al底电极对偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物铁电薄膜性能的影响被引量:4
2010年
利用磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备了不同厚度的非晶导电薄膜Ni-Al底电极,并采用直滴法、退火工艺和掩膜技术,首先制备了偏氟乙烯-三氟乙烯P(VDF-TrFE)共聚物铁电薄膜,并构架了Al/P(VDF-TrFE)/Ni-Al/Si铁电电容器异质结.采用X线衍射仪(XRD)、铁电测试仪(Precision LC unit)等测试手段对薄膜的性能进行了表征.结果表明:Ni-Al薄膜厚度对偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜的漏电流产生较大影响,当厚度为36 nm时,其漏电流密度达到2.09×10-5A/cm2;所构架的Al/P(VDF-TrFE)/Ni-Al/Si电容器呈现2种漏电机理,在较低的电场范围内,电容器的导电机理为欧姆导电机理,在高电场下为界面肖特基导电机理.
张旭赵庆勋李晓红刘保亭
关键词:漏电流
自组装1-3型外延LaSrFeO_4∶Fe纳米复合薄膜的结构和磁性能研究
2014年
采用高温固相法制备La0.5Sr0.5FeO3靶材,在高能量,较低的温度条件下利用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(001)衬底上自助装生长1-3型外延的LaSrFeO4∶Fe(LSFO4∶Fe)纳米复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征薄膜的晶体结构和生长取向,磁力显微镜(MFM)观测样品的表面形貌和磁畴结构,超导量子干涉仪(SQUID)磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,α-Fe纳米线的直径大小约为20 nm。在低温10 K时,磁场方向平行和垂直纳米线的矫顽力分别为1645 Oe和923 Oe,饱和磁化强度分别为780 emu/cm3和645 emu/cm3,样品表现出良好的磁各向异性。
贾艳丽闫其庚张磊冯招娣代秀红王世杰赵庆勋王英龙刘保亭
关键词:脉冲激光沉积磁性能
沉积温度对BiFeO_3薄膜结构和性能的影响被引量:3
2010年
采用磁控溅射法制备SrRuO3(SRO)薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3(BFO),构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3(001)异质结,采用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪研究了沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。研究结果表明,随着温度的升高,BFO(001)和(002)衍射峰强度逐渐增强,BFO(110)和Bi2O3衍射峰强度逐渐减小,不同沉积温度下生长的样品都具有铁电性,在800 kV/cm的电场下,640℃下生长的BFO薄膜的剩余极化强度为65μC/cm2。采用数学拟合的方法研究了Pt/SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3的漏电机理,结果表明BFO薄膜导电机理为普尔-弗兰克导电机理。
赵庆勋魏大勇王宽冒马继奎刘保亭王英龙
关键词:脉冲激光沉积沉积温度
纳米金刚石薄膜的n型掺杂及薄膜低温合成的动力学研究
赵庆勋闫正王银顺刘保亭王永杰杨景发乔晓东葛大勇张庆荣
该研究采用辉光等离子体辅助EACVD技术,制备出了高品质的n型金刚石薄膜,通过对薄膜力学特性的研究,得到了制备较小残余内应力的掺硫n型金刚石薄膜的优化实验条件;系统研究了薄膜的电学性质与掺硫浓度的关系,在低温硅衬底上合成...
关键词:
关键词:金刚石薄膜
EACVD金刚石薄膜中氢分解过程的研究被引量:1
2000年
采用蒙特卡罗方法模拟了电子辅助化学气相淀积 (EACVD)金刚石薄膜中的氢分解过程 ,建立了电子碰撞使氢分解的模型 ,给出了电子能量分布及氢原子数的空间分布 ,讨论了电偏压和气压对氢分解的影响。这些结果对 EACVD制造金刚石薄膜的研究有重要意义。
董丽芳陈俊英赵庆勋
关键词:金刚石薄膜
一种磁控和脉冲激光共沉积装置
本实用新型提供一种磁控和脉冲激光共沉积装置,其特征在于:在一个真空腔体中设置有磁控溅射靶材和脉冲激光沉积靶材和一个共用的样品台,样品台上固定沉积基片,真空腔体上开设石英窗,真空腔体外设置有用于脉冲激光沉积的激光器;磁控溅...
刘保亭李晓红赵庆勋郭庆林王英龙
文献传递
直流辉光等离子体助进热丝CVD法沉积金刚石薄膜被引量:2
2002年
采用直流辉光等离子体助进热丝 CVD的方法 ,低温 ( 5 5 0~ 6 2 0℃ )沉积得到晶态金刚石薄膜 .经X射线衍射谱、扫描电子显微镜及 Raman光谱分析表明 :稍高气压有利于金刚石薄膜的快速、致密生长 .
韩佳宁赵庆勋文钦若辛红丽
关键词:金刚石薄膜X射线衍射谱
BiFeO_3及Bi_2FeCrO_6的电子结构和光学特性被引量:4
2008年
采用第一性原理方法计算了铁酸铋及掺铬铁酸铋的电子结构和光学特性等。计算结果表明BiFeO3及Bi2FeCrO6是间接带隙材料,所得到的BiFeO3和Bi2FeCrO6的带隙Eg=2.5eV和Eg=1.7eV,并讨论了Cr的掺入对能态密度、复介电函数,光学特性参数和Mulliken电荷分布的影响,所得结果对BiFeO3材料掺杂改性的研究具有参考价值。
赵庆勋温梦仙王书彪关丽刘保亭
关键词:BIFEO3第一性原理电子结构光学性质
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