何静芳
- 作品数：11 被引量：39H指数：4
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- Ga-F共掺杂ZnO导电性的第一性原理计算
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对本征ZnO,Ga、F 单掺ZnO 和Ga-F 共掺ZnO 的几何结构进行优化后计算了各体系的相关性质.结果表明各掺杂体系有各自的优缺点,在制作透明导电薄膜时可根据具体...
- 何静芳吴一史茹倩周鹏力郑树凯
- 关键词：ZNO第一性原理载流子浓度
- Ga-F共掺杂ZnO导电性和透射率的第一性原理计算被引量：4
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对本征ZnO,Ga、F单掺ZnO和Ga-F共掺ZnO的几何结构进行优化后计算了各体系的相关性质。结果表明各掺杂体系有各自的优缺点,在制作透明导电薄膜时可根据具体要求采取不同的掺杂方案。Ga掺杂ZnO比F掺杂ZnO的晶格畸变小。相同环境下Ga原子比F原子更容易进入ZnO晶格,因此掺杂后结构更加稳定。Ga、F掺杂都改善了ZnO的导电性,掺杂ZnO的载流子浓度比本征ZnO增加了3个数量级,相同浓度的F掺杂比Ga掺杂能产生更多的载流子。Ga-F共掺杂ZnO折中了上述Ga、F单掺杂ZnO的优缺点。另外,掺杂后ZnO的吸收边蓝移,以GaF共掺杂ZnO在紫外区域的透射率最大,在280～380 nm范围内其透射率在90%以上。
- 何静芳吴一史茹倩周鹏力郑树凯
- 关键词：ZNO第一性原理载流子浓度光学性质透射率
- Fe原子掺杂和吸附改善ZnO(0001)表面光催化性质的计算方法
- 本发明公开了一种Fe原子掺杂和吸附改善ZnO(0001)表面光催化性质的计算方法，包括：在MS软件中构建ZnO体材料的原胞，并进行结构优化，再构建ZnO(0001)表面超晶胞，以及Fe原子在纯ZnO(0001)表面上不同...
- 王平程静思何静芳
- 文献传递
- In-As共掺杂GaSb的第一性原理研究被引量：4
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算未掺杂,In、As单掺及In-As共掺GaSb的晶格参数、能带结构、态密度和吸收光谱。结果表明:掺杂后GaSb晶格发生畸变,As单掺GaSb的晶格常数增大,带隙减小,导致吸收光谱蓝移;而In单掺和In-As共掺GaSb晶格常数变大,且禁带宽度均减小,致使吸收光谱红移,这也是实验上造成掺杂GaSb热光伏电池吸收光谱扩展的原因。
- 刘宝元马蕾张雷周鹏力何静芳
- 关键词：第一性原理掺杂电子结构
- ZnO基材料及探测器特性研究
- ZnO作为拥有巨大发展潜力的新型光电材料，不论在材料生长、掺杂改性还是器件制备等方面都得到了诸多关注。近些年来，重稀土元素钇（Y）在ZnO掺杂改性方面发挥着重要作用，其对ZnO的影响往往通过与锌间隙（Zni）等本征缺陷的...
- 何静芳
- 关键词：探测器第一性原理光致发光
- Fe原子掺杂和吸附改善ZnO(0001)表面光催化性质的计算方法
- 本发明公开了一种Fe原子掺杂和吸附改善ZnO(0001)表面光催化性质的计算方法，包括：在MS软件中构建ZnO体材料的原胞，并进行结构优化，再构建ZnO(0001)表面超晶胞，以及Fe原子在纯ZnO(0001)表面上不同...
- 王平程静思何静芳
- 文献传递
- Cu-Co共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算被引量：19
- 2014年
- 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Cu 1021cm-3单掺杂ZnO,Co单掺杂ZnO,Cu-Co共掺杂ZnO的电子结构和光学性质.结果表明,在本文掺杂浓度数量级下,Cu,Co单掺杂可以提高ZnO的载流子浓度,从而改善ZnO的导电性,Cu-Co共掺杂时ZnO半导体进入简并状态,呈现金属性.这三种掺杂ZnO均会在可见光和近紫外区域出现光吸收增强现象,其中由于Cu离子与Co离子之间的协同效应,Cu-Co共掺杂ZnO对太阳光的吸收大幅增加,因此Cu-Co共掺杂ZnO可以用于制备高效率的太阳电池.
- 何静芳郑树凯周鹏力史茹倩闫小兵
- 关键词：第一性原理
- Al-N共掺杂3C-SiC介电性质的第一性原理计算被引量：9
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,建立了未掺杂,Al,N单掺杂和Al-N共掺杂3C-SiC的4种超晶胞模型,并分别对模型进行了几何结构优化,对比研究了其能带结构,态密度分布和介电常数.计算结果表明:Al掺杂会增大SiC的晶格常数,而N对SiC的晶格影响很小.Al掺杂会导致费米能级进入价带,使3C-SiC成为p型半导体,且带隙宽度略为加宽.N掺杂后的SiC其导带和价带均向低能端发生移动,带隙稍有减小.本征3C-SiC几乎不具备微波介电损耗性能.但是可以通过进行Al掺杂或N掺杂加以改善,Al掺杂后的效果尤为突出.计算发现Al-N共掺杂后的3C-SiC材料在8.2—12.4 GHz范围内其微波介电损耗性能急剧下降,与实验结果相符合,并对这一结果进行了讨论分析.
- 周鹏力郑树凯田言张朔铭史茹倩何静芳闫小兵
- 关键词：3C-SIC介电性质第一性原理
- 一种MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路与扩频方法
- 本发明公开了一种MgZnO基MSM紫外光探测器等效电路与扩频方法，方法包括：1)设置MgZnO基MSM紫外光探测器的结构参数、材料参数和入射光参数；2)计算MgZnO基MSM紫外光探测器的瞬态电流；3)等效MgZnO基M...
- 王平郭馨璐宋振杰何静芳郭立新杨银堂
- 文献传递
- N-Al共掺杂4H-SiC的第一性原理计算被引量：2
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算本征、N单掺杂、Al单掺杂及N-Al共掺杂4H-SiC的电子结构和光学性质。结果表明:N-Al共掺杂导致4H-SiC晶格膨胀,4H-SiC的禁带宽度减小,同时在4H-SiC禁带中引入了杂质能级;N、Al的单掺杂增加了4H-SiC对红外波段和可见光波段的响应,N-Al共掺杂不存在该现象;N-Al共掺杂4H-SiC较本征4H-SiC在紫外波段出现一个更大的透射窗口,吸收系数略小于本征4H-SiC的。
- 史茹倩郑树凯周鹏力何静芳闫小兵刘磊
- 关键词：第一性原理掺杂光学性质
