田言
- 作品数：5 被引量：9H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法
- 本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I-V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n<Sup>+</Sup>GaN集...
- 杨林安陈浩然李月田言陈安郝跃
- Fe-N-S共掺杂锐钛矿相TiO_2的电子能带结构计算
- 2014年
- 采用第一性原理,分析Fe-N-S共掺杂锐钛矿相TiO2的晶体结构、能带结构、电子态密度及光学特性。结果表明,由掺杂TiO2晶格畸变产生的内部局域场有利于光生电子-空穴对的分离;杂质在价带顶引入的杂质能级可以作为光生空穴的浅势捕获陷阱,抑制载流子复合;费米能级附近杂质能级作为中间能级,有利于Fe-N-S共掺杂TiO2对可见光的吸收。
- 田言郑树凯
- 关键词：锐钛矿第一性原理共掺杂
- 具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法
- 本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I‑V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n<Sup>+</Sup>GaN集...
- 杨林安陈浩然李月田言陈安郝跃
- 文献传递
- Al-N共掺杂3C-SiC介电性质的第一性原理计算被引量：9
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,建立了未掺杂,Al,N单掺杂和Al-N共掺杂3C-SiC的4种超晶胞模型,并分别对模型进行了几何结构优化,对比研究了其能带结构,态密度分布和介电常数.计算结果表明:Al掺杂会增大SiC的晶格常数,而N对SiC的晶格影响很小.Al掺杂会导致费米能级进入价带,使3C-SiC成为p型半导体,且带隙宽度略为加宽.N掺杂后的SiC其导带和价带均向低能端发生移动,带隙稍有减小.本征3C-SiC几乎不具备微波介电损耗性能.但是可以通过进行Al掺杂或N掺杂加以改善,Al掺杂后的效果尤为突出.计算发现Al-N共掺杂后的3C-SiC材料在8.2—12.4 GHz范围内其微波介电损耗性能急剧下降,与实验结果相符合,并对这一结果进行了讨论分析.
- 周鹏力郑树凯田言张朔铭史茹倩何静芳闫小兵
- 关键词：3C-SIC介电性质第一性原理
- 太赫兹波段GaN肖特基势垒IMPATT二极管特性研究
- 太赫兹技术是一种新兴技术，在很多领域都有诱人的应用前景。太赫兹技术首先要解决的问题就是太赫兹辐射源，在半导体太赫兹辐射源中IMPATT二极管是输出功率最大的，Si基、GaAs基IMPATT二极管由于材料本身特性的限制无法...
- 田言
- 关键词：太赫兹波段氮化镓肖特基势垒雪崩二极管电场分布
- 文献传递
