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万新恒

作品数：15 被引量：23H指数：3
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 6篇晶体管
  • 4篇MOSFET
  • 3篇单片
  • 3篇单片机
  • 3篇非晶硅
  • 3篇辐照效应
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 3篇SOI
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇全耗尽
  • 2篇总剂量
  • 2篇总剂量辐照
  • 2篇总剂量辐照效...
  • 2篇辐照
  • 2篇PECVD
  • 2篇SOI_MO...
  • 2篇SOIMOS...
  • 1篇低剂量

机构

  • 9篇华中理工大学
  • 6篇北京大学

作者

  • 15篇万新恒
  • 8篇徐重阳
  • 6篇丁晖
  • 5篇邹雪城
  • 5篇王阳元
  • 5篇黄如
  • 5篇张兴
  • 3篇高文钰
  • 3篇张少强
  • 2篇戴永兵
  • 2篇甘学温
  • 1篇赵伯芳
  • 1篇龚建明
  • 1篇冯汉华
  • 1篇曾祥斌
  • 1篇谭静荣
  • 1篇李强

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇自动化与仪表
  • 2篇光电子技术
  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电子技术（上...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2002
  • 5篇2001
  • 6篇1997
  • 3篇1996
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
2001年
报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 .
万新恒张兴谭静荣高文钰黄如王阳元
关键词：SOIMOSFET场效应晶体管
SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移被引量：1
2001年
首次报道了辐照所引起的 SOI/ MOS器件 PD (部分耗尽 )与 FD (全耗尽 )过渡区的漂移 .基于含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 ,模拟了 FD与 PD过渡区随辐照剂量的漂移 .讨论了辐照引起 FD与 PD器件转化的原因 ,进一步分析了 FD与
万新恒张兴黄如甘学温王阳元
关键词：SOI辐照特性过渡区漂移
容栅传感器与单片机89C2051的接口及编程被引量：3
1997年
容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ...
万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖
关键词：传感器单片机容栅传感器接口
TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究被引量：2
1996年
分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数。
丁晖徐重阳邹雪城张少强戴永兵袁奇燕万新恒
关键词：PECVD有源矩阵薄膜晶体管液晶显示器
氢化非晶硅局域态电荷密度的解析统一模型被引量：1
1996年
本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read－Hall统计描述，推导出了局域态电荷密度统一的解析表达式，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。最后将该解析模型与现有的发表结果进行了比较，并由此分析了非晶硅场效应晶体管的迁移率。这种模型是研究非晶硅中的电荷俘获过程及非晶硅器件（如a－Si：HTFT）特性的必要基础。
万新恒徐重阳邹雪城OulachgarHassan
关键词：非晶硅
基于神经网络BP算法PECVDSi_3N_4钝化工艺的模拟被引量：1
1997年
由于ＩＣ制造过程的高度复杂非线性，利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果，现描述一种新的途径——神经网络反向传播算法（ＢＰ算法），并介绍了神经网络ＢＰ算法在ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺中的应用。通过建立ＰＥＣＶＤ淀积工艺的神经网络模型，对ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺进行了计算机模拟，讨论了相关工艺条件对Ｓｉ３Ｎ４介质膜特性的影响。
徐重阳丁晖邹雪城张少强冯汉华戴永兵袁奇燕万新恒
关键词：神经网络BP算法PECVD钝化工艺集成电路
80C51系列单片机波特率自动检测的通用程序被引量：5
1997年
８０Ｃ５１系列单片机波特率自动检测的通用程序ＡｎＡｕｔｏｍａｔｉｃＢａｕｄＲａｔｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎＰｒｏｇｒａｍｆｏｒｔｈｅ８０Ｃ５１ＳｉｎｇｌｅＣｈｉｐＣｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒龚建明ＷａｎＸｉｎｈｅｎｇＧｏｎｇＪｉａｎｍｉｎｇ１引言在串行异步通...
万新恒龚建明
关键词：信号检测波特率单片机
a-Si:H TFT电流-电压特性研究
1996年
本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了 a－Si：HTFT电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a－Si：HTFT静态特性分析及其电路优化。
万新恒徐重阳邹雪城张少强袁奇燕丁晖
关键词：非晶硅薄膜晶体管电流-电压
高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型被引量：2
2001年
报道了一种用于在高剂量辐照条件下 MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型 .利用该模型对 MOS器件实验结果进行了模拟 ,模型计算结果与实验吻合较好 .初步分析了高剂量条件下不同散射机制对模拟结果的影响 。
万新恒张兴高文钰黄如王阳元
关键词：MOSFET总剂量辐照效应场效应晶体管
氢化非晶硅薄膜晶体管的静态特性研究被引量：1
1997年
发展了一种研究a－Si：HTFT静态特性的新方法。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read-Hall统计描述，发展了一种局域态电行密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟道区有效温度参数的概念，在此基础上，推导出了a－Si：HTFT电流—电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。并详细分析了a－Si材料参数对TFTN态特性的影响。
万新恒徐重阳邹雪城丁晖OulachgarHassan
关键词：非晶硅薄膜晶体管静态特性
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共2页<12>
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