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黄郊
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供职机构:
中国科学院物理研究所
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
机械工程
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合作作者
郭丽伟
中国科学院物理研究所
陈小龙
中国科学院物理研究所
贾玉萍
中国科学院物理研究所
芦伟
中国科学院物理研究所
李治林
中国科学院物理研究所
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黄郊
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6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯性能研究
<正>石墨烯是一种二维零带隙半导体材料:一方面其具有丰富的物理内涵,如费米能级附近载流子呈现为无质量狄拉克费米子,奇异的量子霍尔效应,弹道输运,手性隧穿等[1];另一方面其拥有巨大的潜在应用价值,如超高的载流子迁移率[2...
黄郊
郭丽伟
林菁菁
贾玉萍
芦苇
陈莲莲
陈小龙
文献传递
紫外探测器
本发明提供了一种紫外探测器,包括SiC板;位于所述SiC板上的石墨烯层;以及位于所述石墨烯层上的第一电极和第二电极。本发明的紫外探测器能够实现对紫外光的超快探测,对紫外光探测的精度和灵敏度高,制造成本低。
陈小龙
郭丽伟
黄郊
贾玉萍
芦伟
文献传递
基于碳化硅的石墨烯材料及其特征和应用
在碳化硅基底上生长石墨烯被广泛认为是有希望实现大规模工业化生产和大规模器件加工的技术途径,美国IBM公司己用实验结果证明碳化硅上石墨烯场效应晶体管的电流增益截止频率已达到350GHz。因此,碳化硅基底上生长石墨烯不仅在半...
郭丽伟
贾玉萍
李治林
黄郊
芦伟
陈洪详
陈小龙
关键词:
碳化硅
石墨烯
光电性能
光催化
文献传递
偏压原子力显微技术:通过局部反型掺杂检测缺陷的通用方法
高质量二维材料在基础科学研究和器件应用领域中具有重要的地位[1]。因此针对二维材料的检测,特别是对其缺陷的检测成为了至关重要的内容。一个精准、快捷的缺陷检测手段可以在二维材料的制备过程中提供及时有效的反馈。
贾玉萍
郭丽伟
芦伟
黄郊
李治林
陈洪祥
陈小龙
关键词:
石墨烯
偏压原子力显微技术:通过局部反型掺杂检测缺陷的通用方法
高质量二维材料在基础科学研究和器件应用领域中具有重要的地位。因此针对二维材料的检测,特别是对其缺陷的检测成为了至关重要的内容。一个精准、快捷的缺陷检测手段可以在二维材料的制备过程中提供及时有效的反馈。在此,我们提出了一种...
贾玉萍
郭丽伟
芦伟
黄郊
李治林
陈洪祥
陈小龙
关键词:
石墨烯
文献传递
6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯性能研究
本文系统研究了6H-SiC(11-20)外延多层石墨烯的性能。通过热分解6H-SiC(11-20)得到多层石墨烯,并利用原子力显微镜和拉曼图谱表征其形貌、褶皱分布和非谐声子效应。实验发现外延石墨烯(EG)褶皱的平均高度为...
黄郊
郭丽伟
林菁菁
贾玉萍
芦苇
陈莲蓬
陈小龙
关键词:
半导体材料
性能分析
原子力显微镜
一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法
一种光电二极管装置,包括光源和整流结构,所述整流结构包括高阻光增益半导体衬底,位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层,位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一ITO电极和第二电极,其中,所述第一ITO电极和所...
郭丽伟
陈小龙
黄郊
史哲
文献传递
一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法
一种光电二极管装置,包括光源和整流结构,所述整流结构包括高阻光增益半导体衬底,位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层,位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一ITO电极和第二电极,其中,所述第一ITO电极和所...
郭丽伟
陈小龙
黄郊
史哲
文献传递
紫外探测器
本发明提供了一种紫外探测器,包括SiC板;位于所述SiC板上的石墨烯层;以及位于所述石墨烯层上的第一电极和第二电极。本发明的紫外探测器能够实现对紫外光的超快探测,对紫外光探测的精度和灵敏度高,制造成本低。
陈小龙
郭丽伟
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