金波
- 作品数：8 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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- 氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
- 2006年
- 提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。
- 陈志君张峰王永进金波陈静张正选王曦
- 关键词：注氧隔离
- SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备
- 应变硅(StrainedSilicon)材料是一种新型的电子材料，主要是利用异质外延技术，在弛豫的锗硅(RelaxedSiGe)合金衬底上制备得到一层处于双向压应力状态下的硅层。由于应变硅层中硅的能带在应力状态下由六个能...
- 金波
- 关键词：绝缘硅微电子学固体电子学超大规模集成电路
- 文献传递
- 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法
- 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个...
- 董业民王曦陈猛陈静王湘张继华易万兵金波
- 文献传递
- 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法
- 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个...
- 董业民王曦陈猛陈静王湘张继华易万兵金波
- 文献传递
- 氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响
- 2006年
- 研究了氧化对外延在SOI衬底上的Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对Si Ge薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基Si Ge薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使Si Ge薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中.而Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程将会与Ge原子的扩散过程同时进行.通过对Si Ge薄膜和SOI顶层硅中位错分布的分析发现在氧化过程中,Si Ge薄膜和SOI衬底之间存在一个应力传递的过程.
- 金波王曦陈静张峰程新利陈志君
- 关键词：SIGESOI应变弛豫
- 电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO_2薄膜被引量：3
- 2004年
- 为了得到CeO2为埋层的新型SOI(SiliconOnInsulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础。同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨。由于CeO2(111)、(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜。
- 金波李炜郑志宏王曦
- 关键词：退火晶体取向
- 具有复合埋层的新型SIMON材料的制备被引量：2
- 2004年
- 采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较 。
- 易万兵陈猛张恩霞刘相华陈静董业民金波刘忠立王曦
- 关键词：SIMONSOIPACC
- 注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究被引量：1
- 2004年
- 采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离SOI(SIMON)圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析。结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好。机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素。
- 张恩霞孙佳胤易万兵陈静金波陈猛张正选张国强王曦
- 关键词：SIMONSOI
