许毓春
- 作品数：20 被引量：67H指数：4
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金科技型中小企业技术创新基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 一种新型线性电阻材料──ZnO陶瓷被引量：2
- 1995年
- ＺｎＯ线性电阻是由ＺｎＯ晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻边界层。它具有很大的耐浪涌能量、线性的Ｖ－Ｉ特性、小的正电阻温度系数。本文讨论了配方及工艺对ＺｎＯ线性电阻性能的影响，并探讨了２ｎＯ线性电阻的微观结构和导电机理。
- 徐业彬王士良许毓春曾繁涤
- 关键词：电性能导电机理
- Nb_2O_5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响被引量：8
- 1994年
- 本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度越高，压敏电场越高，非线性系数越大。
- 李慧峰许毓春王礼琼王士良
- 关键词：氧化锌陶瓷压敏电阻器陶瓷掺杂电阻器
- ZnO非线性电阻冲击蜕变机理分析被引量：1
- 1992年
- 使用透射电镜、能谱、电子衍射等微观分析手段,对脉冲大电流冲击后的ZnO非线性电阻I-V特性蜕变现象进行了研究.实验结果表明,ZnO非线性电阻的冲击蜕变主要是由于离子迁移致使正、负离子在晶界层与晶粒界面两侧的积累和离散所造成的,同时也与富铋界面层的相结构改变有密切的关系.
- 许毓春曹书云王士良赵时坚
- 关键词：氧化锌非线性电阻
- 高压避雷器阀片的改性研究
- 1992年
- 一般避雷器阀片不能满足超高压避雷器的要求,需要改进配方、工艺,提高性能.本文针对降低残压比和减小大电流冲击后V_(1mA)的相对跌落两方面的问题进行了试验研究.
- 王士良许毓春许沛霖李慧峰
- 关键词：高压避雷器阀片避雷器
- 烧结过程以及玻璃料添加物对氧化锌压敏陶瓷微观结构及电性能的影响
- O压敏陶瓷具有独特的优异性能，在电力系统及电子行业中被广泛用来抑制瞬时浪涌，消除电火花。随着集成电路技术和微电子技术的发展，对元件的小型化的要求极不强烈。作为浪涌吸收和稳压用的ZnO压敏电阻元件也不例外，有必要开发用于低...
- 张丛春周东祥龚树萍许毓春
- 关键词：ZNO压敏陶瓷微观结构电性能
- 氧化铋氧化锑热处理对氧化锌压敏电阻的影响
- 本文研究了BiSbO4掺杂对氧化锌压敏电阻的影响。通过将Bi2O3和Sb2O3在不同温度下煅烧。并在800℃烧结后合成了较纯的BiSbO4。通过物相和差热分析发现BiSbO4能够与ZnO在高温下反应形成烧绿石相和尖晶石相...
- 翁俊梅姜胜林许毓春黄国贤
- 关键词：氧化锌压敏电阻电学性能微观结构
- Cu-Fe系陶瓷负阻机理及稳定性的研究被引量：1
- 2000年
- 本文探讨了Cu -Fe系负阻陶瓷的内在机理 。
- 张欣吕鹏程庄志强王歆许毓春
- 关键词：稳定性掺铜
- ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂被引量：10
- 1996年
- 本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的双Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶柱表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强。如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿。
- 许毓春李慧峰王礼琼王士良
- 关键词：氧化锌半导体压敏陶瓷掺杂
- Bi_2O_3和Sb_2O_3的预复合对ZnO压敏电阻性能的影响被引量：3
- 2012年
- 采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响。结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7:1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电位梯度达到361V/mm,非线性系数为86,漏电流密度为7×10–8A/cm2;另外,在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,其残压比和压敏电压变化率分别为2.6和2.5%。
- 翁俊梅姜胜林许毓春张光祖
- 关键词：ZNO压敏电阻微观结构电学性能
- SiO＿2对TiO＿2系压敏陶瓷电性能的影响被引量：16
- 1994年
- 本文主要讨论ＳｉＯ＿２对ＴｉＯ＿２系压敏陶瓷电性能的影响，并从理论上作了深入分析。
- 许毓春李慧峰王士良王礼琼
- 关键词：二氧化钛压敏陶瓷非线性二氧化硅
