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翁俊梅

作品数:4 被引量:11H指数:2
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:科技型中小企业技术创新基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电学性能
  • 4篇压敏
  • 4篇压敏电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇氧化锌压敏电...
  • 2篇微观结构
  • 2篇ZNO压敏电...
  • 1篇电位梯度
  • 1篇氧化锑
  • 1篇氧化铋
  • 1篇晶粒
  • 1篇高电位梯度
  • 1篇高通
  • 1篇ZN
  • 1篇BI
  • 1篇掺杂
  • 1篇SB

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 4篇翁俊梅
  • 3篇姜胜林
  • 2篇许毓春
  • 2篇张光祖
  • 2篇黄国贤
  • 1篇郭立

传媒

  • 2篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Zn_2SiO_4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响被引量:9
2011年
采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15μA,样品在耐受5 kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%。
黄国贤姜胜林郭立张光祖翁俊梅
关键词:氧化锌压敏电阻晶粒电学性能
氧化铋氧化锑热处理对氧化锌压敏电阻的影响
本文研究了BiSbO4掺杂对氧化锌压敏电阻的影响。通过将Bi2O3和Sb2O3在不同温度下煅烧。并在800℃烧结后合成了较纯的BiSbO4。通过物相和差热分析发现BiSbO4能够与ZnO在高温下反应形成烧绿石相和尖晶石相...
翁俊梅姜胜林许毓春黄国贤
关键词:氧化锌压敏电阻电学性能微观结构
高电位梯度高通流能力ZnO压敏电阻制备工艺的研究
ZnO压敏电阻由于其优良的非线性伏安特性和通流能力,在电力系统和电路中获得了广泛应用。如何同时提高压敏电阻的电位梯度和脉冲电流通流能力一直是国内外研究的主要难题。目前国内的压敏电阻厂家生产的压敏电阻的电位梯度在200V/...
翁俊梅
关键词:ZNO压敏电阻电学性能
文献传递
Bi_2O_3和Sb_2O_3的预复合对ZnO压敏电阻性能的影响被引量:3
2012年
采用固相法对Bi2O3和Sb2O3进行了预复合,并研究了不同比例的Bi2O3与Sb2O3预复合对ZnO压敏电阻致密度,晶粒结构和电学性能的影响。结果表明:当Bi2O3与Sb2O3的摩尔比为0.7:1.0时,ZnO压敏电阻的综合性能最优,其晶粒生长得最为均匀致密,电位梯度达到361V/mm,非线性系数为86,漏电流密度为7×10–8A/cm2;另外,在耐受5kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,其残压比和压敏电压变化率分别为2.6和2.5%。
翁俊梅姜胜林许毓春张光祖
关键词:ZNO压敏电阻微观结构电学性能
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