薛清
- 作品数：7 被引量：33H指数：3
- 供职机构：南阳理工学院材料研究中心更多>>
- 发文基金：河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺政治法律更多>>
- 多孔硅镍钝化处理的光致发光谱研究被引量：5
- 2001年
- 报道了对多孔硅在NiCl2 中电解钝化处理的一种新方法。观测了经不同时间处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱表明 ,恰当的处理条件 ,可使峰值强度增大约 2 5倍 ,峰值波长蓝移 33nm。分析了现象发生的原因是由于多孔硅表面的SiHx 中的H被Ni替换成SiNix 的结果。
- 周国运高卫东徐国定薛清陈兰莉莫育俊
- 关键词：多孔硅镍钝化光致发光谱氯化镍
- 利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒被引量：20
- 2002年
- 报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法 .含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后 ,用拉曼散射和 X射线衍射技术对样品进行分析 .实验结果表明 :纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成 ,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化 .在升温过程中 ,若单位时间内温度变化量较大 (～ 10 0℃ / s) ,则所形成纳米硅粒较小 (1.6～ 15 nm) ;若单位时间内温度变化量较低 (～ 1℃ / s) ,则纳米硅粒较大 (2 3～ 4 6 nm) .根据晶体生长理论和计算机模拟 。
- 薛清郁伟中黄远明
- 关键词：非晶硅薄膜拉曼散射快速热退火X射线衍射晶体生长
- 掺铝多孔硅光致发光谱研究
- 2002年
- 报道了多孔硅掺入杂质铝处理的一种新方法。观测了处理后多孔硅的光致发光谱 ,其光谱出现 4个与铝杂质能级有关的发光带。
- 薛清李定珍
- 关键词：多孔硅光致发光
- 多孔硅中掺铜光谱研究
- 2001年
- 多孔硅中掺入杂质铜 ,将引起附加发光带。
- 薛清
- 关键词：多孔硅载流子光致发光光谱发光机理
- 掺铜及掺铝多孔硅的光致发光及其发光机理被引量：1
- 2002年
- 分别将特定杂质铜和铝引入多孔硅后 ,观察到了杂质铜和铝所引起的附加发光带 :对于没有掺铜的多孔硅 ,其光致发光谱只有一个发光带 ;而掺过铜的多孔硅 ,其光致发光谱出现两个发光带 ,其中能量较低的发光带随主发光带而变化 .在掺铝多孔硅的光致发光谱中 ,则出现 4个与铝杂质能级有关的发光带 .我们认为上述与杂质有关的发光带是由载流子在杂质深能级上复合所致 .
- 薛清黄远明
- 关键词：深能级掺铜多孔硅光致发光发光机理
- 热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响被引量：6
- 2002年
- 含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时（～100℃/s）,则所形成纳米硅粒较小（～1.6～15nm）;若单位时间内温度变化量较低（～1℃/s）,则纳米硅粒较大（～23～46nm）。根据分形生长理论和计算机模拟,我们讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系.
- 薛清黄远明
- 关键词：纳米硅拉曼散射快速热退火X-射线衍射非晶硅薄膜
- a-SiH 热处理过程中纳米硅粒尺寸的控制(英文)被引量：1
- 2002年
- 报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小,随着热退火过程中升温速率的变化而变化。在退火过程中,若非晶硅薄膜升温速率较高(～100℃/s),则所形成纳米硅粒的大小在1.6～15nm;若非晶硅薄膜升温速率较低(～1℃/s),则纳米硅粒大小在23～46nm。根据晶体生长理论,讨论了升温速率的高低与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。
- 薛清郁伟中黄远明
- 关键词：纳米硅喇曼散射快速热退火X射线衍射颗粒尺寸
